2024年4月29日发(作者：)

DDR内存常用品牌颗粒

识别详解

海力士(现代)内存

海力士内存颗粒编号一般分为14个部分

1. HY表示海力士内存

2.产品家族，“5D”表示DDR内存

3.工作电压

V表示VDD=3.3V，VDDQ=2.5V

U表示VDD=2.5V，VDDQ=2.5V

W表示VDD=2.5V，VDDQ=1.8V

S表示VDD=1.8V，VDDQ=1.8V

4.容量和刷新设置

64表示64Mb、4K刷新

66表示64Mb、2K刷新

28表示128Mb、4K刷新

56表示256Mb、8K刷新

57表示256Mb、4K刷新

12表示512Mb、8K刷新

1G表示1Gb、8K刷新

5.颗粒位宽

4表示X4

8表示X8

16表示X16

32表示X32

6.表示逻辑BANK数量

1表示2bankS

2表示4BANKS

3表示8BANKS

7.接口类型

1表示SSTL＿3

2表示SSTL＿2

3表示SSTL＿18

8.颗粒版本

“空白”表示第一代生产

A表示第二代

B表示第三代

C表示第四代

9.能耗水准

“空白”表示大众商用型、普通能耗

L表示大众商用型、低能耗

10.封装形式

T表示TSOP

Q表示LQFP

F表示FBGA

FC表示FBGA（UTC：8X13mm）

11.表示堆叠封装

“空白”表示普通

S表示Hynix

K表示M&T

J表示其他

M表示MCP（Hynix）

MU表示MCP（UTC）

12.封装材料

空白 表示普通材料

P表示铅

H表示卤素

R表示铅和卤素

13.颗粒性能

D43表示DDR400（3-3-3）

D3表示DDR400（3-4-4）

J表示DDR333

M表示DDR266（2-2-2）

K表示DDR266A

H表示DDR226B

L表示DDR200

14.工作需求温度

I表示工业常温40-85度

E扩展温度零下25-85

三星DDR内存

三星内存颗粒一般分为17部分

1.K表示内存

2.内存类别 4表示DRAM

3.内存子类别

H表示DDR

T表示DDR2

4-5.代表容量

28表示128Mb

56表示256Mb

51表示512Mb

1G表示1Gb

2G表示2Gb

6-7.表示位宽

04表示X4

32表示X32

06表示X4 Stack

07表示X8 Stack

16表示X16

8.表示BANK数量

3表示4BANK

4表示8BANK

9.表示接口类型与电压

8表示接口类型为SSTL＿2 工作电压2.5V

Q表示接口类型SSTL 工作电压1.8V

10.产品版本

M 1代

A 2代

B 3代

C 4代

D 5代

E 6代

F 7代

G 8代

H 9代生产

11.封装类型

T 表示TSOP2

S 表示 sTSOP2

G 表示FBGA

U 表示TSOP2（LEAD FREE）

Z 表示FBGA（LEAD FREE）

12.工作温度、能耗

C大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70

L大众商用型能 、低通能耗 0-70

I 工业型、普通能耗40-85

13-14.频率延迟

CC DDR400 3-3-3

C4 DDR400 3-4-4

C5 DDR466 3-4-4

B3 DDR333 2.5-3-3

AA DDR266 2-2-2

A2 DDR266 2-3-3

BO DDR266 2.5-3-3

时常保留标号位置

英飞凌内存

英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分

表示英飞凌内存（与海力士有区别 注

意）

2.工作电压

39表示3.3V

25表示2.5V

18表示1.8V

3.内存类型

S表示SDR

D表示DDR

T表示DDR2

4.容量

略

5.产品结构

40表示X4

80表示X8

16表示X16

6.产品变化，0表示标准产品

7. 版本号

字母表中的顺序越靠后越新

例如A1代 B2代 C3代...

8.封装类型

C FBGA（含铅）

T TSOP 400mil（含铅）

E TSOP 400mil（无铅无卤）

F FBGA（无铅无卤）

G 堆叠TSOP（无铅无卤）

9.能耗标准

空白表示普通能耗

L 低能耗

10.颗粒性能

5 DDR400B 3-3-3

6 DDR333 2.5-3-3

7 DDR266A 2-3-3

7F DDR266 2-2-2

7.5 DDR266B 2.5-3-3

8 DDR200 2-2-2