2023年12月2日发(作者：)
顺序号
1.
2.
3.
4.
5.
标准编号
A100
A101
A102
A103
A104
简称 现行版本
D Jul 2013
C Mar 2009
D Nov 2010
D Dec 2010
D Mar 2009
标准状态
现行
现行
现行
现行
现行
标准项目
循环温湿度偏置寿命
稳态温湿度偏置寿命
加速水汽抵抗性-无偏置高压蒸煮（高压锅）
高温贮存寿命
温度循环
本实验用来确定组件、互联器件对交替温度极限变化产生的机械应力的耐受性
上电温循
THB
AC
HTSL
TC
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
A105
A106
A107
A108
A109
A110
A111
A112
A113
A114
A115
A117
PTC
HTOL
HAST
PC
C Jan 2004
B Jun 2004
C Apr 2013
D Nov 2010
B Nov 2011
D Nov 2010
A Nov 2010
/
F Oct 2008
F Dec 2008
C Nov 2010
C Oct 2011
现行
现行
现行
现行
现行，指向军标
现行
现行
被替代
现行
现行
现行
现行
适用于半导体器件，在交替的高低温极限中周期的施加卸除偏压，用于模拟样件所遭受的最恶劣环境
热冲击
盐雾
温度，偏置电压，以及工作寿命
密封
高加速温湿度应力试验（HAST）（有偏置电压未饱和高压蒸汽）
安装在单面板底面的小型表贴固态器件耐浸焊能力的评价流程
塑封表贴器件水汽诱发的应力敏感性（被J-STD-020替代）
塑封表贴器件可靠性试验前的预处理
静电放电敏感性试验（ESD）人体模型（HBM）
静电放电敏感性试验（ESD）机器模型（MM）
电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）编程/擦除耐久性以及数据保持试验
加速水汽抵抗性——无偏压HAST（无偏置电压未饱和高压蒸汽）
高加速温湿度应力试验是为评估非气密性固态设备器件在潮湿的环境中的可靠性。
低温贮存寿命
用于集成电路的有机材料的水汽扩散率以及水溶解度试验方法
锡及锡合金表面镀层晶须生长的测试方法
功率循环
18. A118
UHST
A Mar 2011 现行
19.
20.
21.
22.
A119
A120
A121
A122
Nov 2004
A Jan 2008
A Jul 2008
Aug 2007
现行
现行
现行
现行 23.
24.
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28.
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40.
41.
42.
43.
B100
B101
B102
B103
B104
B105
B106
B107
B108
B109
B110
B111
B112
B113
B114
B115
B116
B117
B118
C100
C101
B Jun 2003
B Aug 2009
E Oct 2007
B Jun 2002 2
C Nov 2004
D Jul 2011
D Apr 2008
D Mar 2011
B Sep 2010
A Jan 2009
B Jul 2013
Jul 2003
A Oct 2009
A Sep 2012
A May 2011
A Aug 2010
A Aug 2009
B May 2014
Mar 2011
/
F Oct 2013
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
现行
已废止
现行
物理尺寸
外部目检
可焊性
振动，变频
机械冲击
引出端完整性
通孔安装期间的耐焊接冲击
标识耐久性
表贴半导体器件的共面性试验
倒装芯片拉脱试验
组件机械冲击
手持电子产品组件的板级跌落试验
高温封装翘曲度测试方法
手持电子产品组件互连可靠性特性的板级循环弯曲试验方法
标识可识别性
焊球拉脱试验
引线键合的剪切试验
焊球剪切
半导体晶圆以及芯片背面外目检
高温连续性
静电放电敏感性试验（ESD）场诱导带电器件模型
JESD22标准定义及意义
22 JESD22-B
Published:Sep2000Superseded
SUPERSEDEDBYTHETESTMETHODSINDICATEDBY'JESD22-'
AcompletesetoftestmethodscanbeobtainedfromGlobalEngineeringDocuments
JESD22-B 发布：2000 年 9 月已被取代 被系列测试方法“JESD22-”取代
“JESD22-”是一个完整的系列试验方法，可在全球性的工程 文件中取得。
AEC-Q100 是基于集成电路应力测试认证的失效机理的标准，它包含以下12个测试方法：
¶ AEC-Q100-001 邦线切应力测试
¶ AEC-Q100-002 人体模式静电放电测试
¶ AEC-Q100-003 机械模式静电放电测试
¶ AEC-Q100-004 集成电路闩锁效应测试
¶ AEC-Q100-005 可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试
¶ AEC-Q100-006 热电效应引起的寄生闸极漏电流测试
¶ AEC-Q100-007 故障仿真和测试等级
¶ AEC-Q100-008 早期寿命失效率（ELFR）
¶ AEC-Q100-009 电分配的评估
¶ AEC-Q100-010 锡球剪切测试
¶ AEC-Q100-011 带电器件模式的静电放电测试
¶ AEC-Q100-012 12V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述
AEC-Q101 是汽车级半导体分立器件应力测试认证，它包含以下6个测试方法：
¶ AEC-Q101-001 人体模式静电放电测试
¶ AEC-Q101-002 机械模式静电放电测试
¶ AEC-Q101-003 邦线切应力测试
¶ AEC-Q101-004 杂项测试方法
¶ AEC-Q101-005 带电器件模式的静电放电测试
¶ AEC-Q101-006 12V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述
2. A100循环温湿度JESD22-A100C
Published:Oct-2007
TheCycledTemperature-humidity-biasLifeTestisperformedforthepurposeofevaluatingthere
liaoysconditionsoftemperaturecycling,humidity,andbiasthat
acceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(encapsulateorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectiv
ledTemperature-Humidity-BiasLifeTestistypicallyperformed
,MQUADs,liddedceramicpingridarrays,etc.)asanalternativeto
JESD22-A100C 发布：2007 年 10 月
循环温湿度偏置寿命试验 循环温湿度偏置寿命试验以评估非气密封装固态器件在潮湿环 境中的可靠性为目的。它使用循环温度，湿度，以及偏置条件 来加速水汽对外部保护性材料（封装或密封）或沿着外部保护 材料和贯通其的金属导体的界面的穿透作用。循环温湿度偏置 寿命试验通常用于腔体封装（例如 MQIADs，有盖陶瓷引脚阵 列封装等） ， 作为
JESD22-A101 或 JESD22-A110 的替代试验。
偏置寿命
CYCLEDTEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST: JESD22-A101orJESD22-A110.
3. A101稳态温湿度偏置寿命
JESD22-A101-B
Published:Apr-1997
STEADY-STATETEMPERATUREHUMIDITYBIASLIFETEST:
Thisstandardestablishesadefinedmethodandcontisusedtoevaluatethereliabilityofnonhermeticpackagedsol
oyshightemperatureandhumidityconditionstoacceleratethepenetrationofmoisturethroughexternalprotectivematerialoralonginterfacesbetweentheexternalvisionenhancestheabilitytoperformthistestonadevicewhichcannotbebiasedtoachieveverylowpowerdissipation.
JESD22-A101-B
发布：1997 年 8 月
稳态温湿度偏置寿命试验
本标准建立了一个定义的方法，用于进行一个施加偏置电压的 温湿度寿命试验。本试验用于评估非气密封装固态器件在潮湿 环境下的可靠性。试验采用高温和高湿条件以加速水汽对外部 保护材料或沿着外部保护材料和外部保护涂层，贯通其的导体 或其他部件的穿透作用。本修订版加强了在无法施加偏置以达 到很低功率耗散的器件上运用本试验的能力。
JESD22-A102-C
发布：2000 年 12 月，2008 年 6
月经重新确认有效
加速水汽抵抗性——无偏置高压蒸煮
本试验允许用户评估非气密封装固态器件对水汽的抵抗力。进 行无偏置高压蒸煮试验的目的在于利用水汽冷凝或水汽饱和蒸 汽环境评估非气密封装固态器件的水汽抵抗力。本方法是一个 高加速试验，使用冷凝条件下的压力，湿度和温度以加速水汽 对外部保护性材料（封装或密封）或沿着外部保护材料和贯通 其的金属导体的界面的穿透作用。这一试验用于识为破坏性。
4. A102加速水汽抵抗性-无偏置高压蒸煮
JESD22-A102-C
Published:Dec-2000ReaffirmedJune2008
ACCELERATEDMOISTURERESIS-TANCEUNBIASEDAUTOCLAVE:
ThistestallowstheusertoevaliasedAutoclaveTestisperformedtoevaluatethemoistureresistanceintegrityofnonhermeticpackagedsolidstatedevighlyacceleratedtestwhichemploysconditionsofpressure,humidityandtemperatureundercondensingconditionstoacceleratemoisturepenetrationthroughtheexternalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheextestisusedtoidentifyfa
iluremechanismsinternaltothepackageandi sdestructive.
别封装内部 的失效机理，本试验5. A103高温贮存寿命
JESD22-A103C
Published:Nov-2004
JESD22-A103C
发布：2004 年 11 月
HIGHTEMPERATURESTORAGELIFE: The test is
高温贮存寿命： 试验可应用于所applicable for evaluation, screening, monitoring, and/or
有固态器件的评估，筛选，监控，qualification of all solid state devices. High Temperature
以及鉴定。 典型情况下，高温贮storage test is typically used to determine the effect of
存试验用于确定在贮存条件下，时time and temperature, understorage conditions, for
间和温 度对固态器件，包括非易thermally activated failure mechanisms of solid state
失存储器件（数据保留失效机理）electronic devices, includingnonvolatile memory
的 影响（由热激发的失效机理）。devices (data retention failure mechanisms). Duringthe
在试验中，只施加提高的温度 应test elevated temperatures(accelerated test conditions)
力（加速试验条件），而不施加电are used withoutelectrical stress applied. This test may
应力。本试验取决于时间， 温度be destructive,depending on Time, Temperature and
和包装（如果有），可能为破坏性。
Packaging (if any).
6. A104温度循环
JESD22-A104C
Published:May-2005
Thisstandardprovidesamethodfordeterminingsinthisrevisionincluderequirementsthattheworst-caseloadt
emperaturemustreachthespecificextremesratherthsuresthatthetestspecimenswillreachthespecifiedtemper
tionsareprovidedforLoad,MonitoringSensor,Worst-CaseLoa
dTemperature,nsfertimehasbeentightenedfrom5minute
wtestconditionshavebeenaddedaswellasacautiono
ntestconditionswhichexceedtheglasstransitiontemperatureofplasticpackagesoliddevices.
7. A105上电温循
JESD22-A105C
Published:Jan-2004
POWERANDTEMPERATURECYCLING:
Thepowerandtemperaturecyclingtestisperformedtodeterminetheabilityofadevicetowithstandalternateexposuresathighandlowtemperatureextremesandstendedtosimulateworstcaseconditionsencounteredinappli
erandtemperaturecyclingtestisconsidereddestructivean
stmethodappliestosemiconductordevicesthataresubjectedt
otemperatureexcursionsandrequiredtopoweronandoffduringalltemperatures.
8. A106热冲击
JESD22-A106B
Published:Jun-2004
THERMALSHOCK:
Thistestisconductedtodeterminetheresistanceofaparttosuddenexposuretoextremechangesintemperatureandtotheeffectofalternateexposurestotheseextremes.
9. A107JESD22-A107C
JESD22-A106C
发布：2004 年 6 月
热冲击： 本试验用于确定部件对于突然暴露于极限温变条件的抵抗力， 以及交替暴露于这些极限条件的影响。
JESD22-A107C
JESD22-A105C
发布：2004 年 1 月
功率温度循环： 功率温度循环试验用于确定器件耐受变化的暴露于极限高低 温，同时周期性施加和去除工作偏置。本试验的目的是模拟应 用环境中达到的最严苛条件。功率温度循环试验视为破坏性， 且只用于器件的鉴定。本试验方法应用于需经受超温，需要在
所有温度条件上下电的半导体器件。
JESD22-A104C
TEMPERATURECYCLING:
发布：2005 年 5 月
温度循环： 本标准提供了一种用于确定固态器件耐受极限温度循环能力的 方法。在本修订版中，改变之处包括最坏条件下，加载温度而 不是试验箱环境温度必须达到规定的极值的要求。这保证了无
论试验箱负载情况如何，试验样品均会达到规定的温度极值。 本修订版提供了负载监控传感器，最坏情况负载温度，以及工 作区的定义。转换时间由 5 分钟加严到 1
分钟。新增了五个试 验条件，以及试验条件超过塑封固态器件玻璃化转变温度时的 注意事项。 盐雾 Published:April-2013
SALTATMOSPHERE:
ThissaltAtmospheretestisacceleratedtestthatsimulatestheeffectsofsevereseacoastat
tendedforlotac
发布：2013 年 4 月
盐雾： 本盐雾试验用于确定固态器件对于腐蚀的抵抗力。本方法是一 个加速试验方法，模拟严酷的海滨气氛环境对所有暴露表面的
影响。本盐雾试验视为破坏性。本试验可用于批接收，工艺监 控，ceptance,processmonitor,andqualificationtesting. The
以及鉴定试验。 MIL-STD-750 试latest revision of Method 1041 of MIL-STD-750 shall
验方法 1041 的最后修订版应用be used for discrete solid-statedevices. The latest
于分立固态器 件。 MIL-STD-883
revision of Method 1009 of MIL-STD-883 shall be used
试验方法 1009 的最后修订版应for solid-state microcircuits,integrated circuits, hybrids,
用于固态微电路、 集成电路及组and modules.
件。
10. A108温度，偏以及工作寿命
JESD22-A108C
Published:Jun-2005
Arevisedmethodfordeterminingtheeffectsofbiasconditionsandtemperature,overtime,onsolid
onBof
A108includeslowtemperatureoperatinglife(LTOL)andhightemperature
gatebibias(HTGB)stressconditions,revisedcooldownrequirementsforhightemp
eraturestress,andaproceduretofollowifpartsarenottestedwithintheallowedtime window.
11. A109密封（指JESD22-A109B
JESD22-A108C
发布：2005 年 6 月
温度，偏置电压，以及工作寿命：
本标准提供了一个可用的经修订和温度在长时间下对固态器件的作用。 A108 修订版 B 包括了
低温工作寿命（LTOL）以及高温栅偏（HTGB）应力条件，修 订了高温应力的冷却需求，以及如果样品没有在允许的时间窗 口中测试的情况下，应遵循的程序。
JESD22-A109A
置电压，TEMPERATURE,BIAS,ANDOPERATINGLIFE:
statedevicesis
的试验方法，用于确定偏置条 件Published:Nov-2011, Rewrite of total doc to point to
发布：2011 年 11 月，重新编制are controlled and updated in the military standards, the
封： 大部分这些试验在军用标准two standards thatapply are MIL-STD-750 for
中控制和更新，应用的两份标准分
Discretes, & MIL-STD-883 for microcircuits. The test
别是 MIL-STD-750 （分立器within thesestandards can be used for all package types.
件） ， 以及 MIL-STD-883 （微Within these standards the tests are similar; MIL-STD-for any commercial hermetic requirements. For MIL-STD-883 the applicable test method is 1014 Seal.
电路） 。 这些试验能够被用于所试验方法是类似的， MIL-STD-750 试验方法 1071 推荐作为所有商用密封的要求。 对于 MIL-STD-883， 可应用的试验方法是试验方法 1014 密封。
750 Test Method 1071 Hermetic Seal isrecommended
有的封装类型。 在这些标准中，向军标）
Military standards. HERMETICITY: Most of these tests
了整份文档以指向军用标准。 密12. A110高加速JESD22-A110D
Published:Nov-2010
JESD22-A110D
发布：2010 年 11 月 温湿度应力试验（HAST）
HIGHLYACCELERATEDTEMPERATUREANDHUMIDITYSTRESSTEST(HAST) ：
高加速温湿度应力试验（HAST）：
该新的试验方法的目的是评价非The purpose of this new test method is to evaluate the
气密封装固态器件在潮湿环境 下reliability of nonhermetic packaged solid state devices
的可靠性。它采用严酷的温度、湿in humid environments. It employs severeconditions of
度和偏执电压以加速水汽 对外部temperature, humidity, and bias that accelerate the
保护材料（封装或密封）或沿着外penetration ofmoisture through the external protective
部保护性材料和金属 导体间的界material (encapsulantor seal) or along the interface
面的穿透作用。
between the external protective material and the
metallic conductorswhich pass through it.
13. A111安装在单面板底面的小型表贴固态器件 耐浸焊能力的评价流程
JESD22-A111A
Published:May-2004
EVALUATIONPROCEDUREFORDETERMININGCAPABILITYTOBOTTOMSIDEBOARDATTACHBYFULLBODYSOLDERIMMERSIONOFSMALLSURFACEMOUNTSOLIDSTATEDEVICES:
JESD22-A111A
发布：2004 年 5 月 安装在单面板底面的小型表贴固态器件耐浸焊能力的评价流 程：
小型表贴器件（SMDs）常常被贴装在印制线路板底面，通过一 次Frequently, small Surface Mount Devices (SMDs) are
波峰焊接（整体浸焊）同时焊接表attached to the bottom side of a printed circuitboard by
贴器件和安装在印制线路 板正面passing them through a wave solder (full body
的插装器件（通过通孔安装）。结immersion) while simultaneously solderingdevices with
果是在这种组装方法 下，这些小pins on the top of the board (plated through hole attach).
型 SMDs 可能暴露于高至
As a result, these small SMDs maybe exposed to high 265℃的高温。 如果足够多的水汽temperatures as high as 265 ° C during this type of board
存在于封装内，暴露于熔化的焊料attach method. If sufficient moisture exists in the
引起水分 变为蒸汽，导致封装内package, exposure to the molten solder causes the
部压强，可引起质量和可靠性退moisture to turn tovapor, resulting in increased pressure
化。 本试验方法关注与确定固态within the package which in turn may cause quality
器件耐受整体波峰/浸焊能力，以and/orreliability degradation. The test method in this
及 随后的使用相关的问题。
document will address the issues related to the
determination of the capability of asolid state device to
withstand the stresses of full body wave solder
immersion and subsequent field use.
14. A112塑封表贴器件水汽诱发的应力敏感性（被J-STD-020替代）
15. A113塑封表贴器件JESD22-A112-A
Published:Nov-1995RescindedMay2000 MOISTURE-INDUCEDSTRESSSENSITIVITYFORPLASTICSURFACEMO UNTDEVICES-SUPERSEDEDBYJ-STD-020A,April1999. J-STD-020 is now on revision D.01.
JESD22-A112-A
发布：1995 年 11 月，2000 年
5 月取消 塑封表贴器件水汽诱发的应力敏感性，被 J-STD-020A
替代， 1999 年 4 月。 J-STD-020
现行版本为修订版 D.01.
JESD22-A113F
Published:Oct-2008
PRECONDITIONINGOFPLASTICSURFACEMOUNJESD22-A113F
发布：2008 年 8 月
塑封表贴器件可靠性试验前的预可靠性试验前的预处理
TDEVICESPRIORTORELIABILITYTESTING:
ThisTestMethodestablishesanindustrystandardpreconditioningflowfornonhermeticsolidstateSMDs(surfacemountdevices)thatisrepresentativeofatypicalindustry
subjectedtotheappropriatepreconditioningsequenceofthisdocumentbythesemiconductormanufacturerpriortobeingsubmittedtospecificin-housereliabilitytesting(qualificationandreliabilitymonitoring)toevalu
atelongtermreliability(whichmightbeimpactedbysolderreflow).
处理： 本试验方法建立了一个非气密固态 SMDs（表面贴装器件）的 工业标准化的预处理流程，这一流程代表了一个典型的工业化
在由半导体制造商进行规定的 内部可靠性试验（鉴定及可靠性监控）前，应经受本文档中适 当的预处理序列，以评估长期可靠性（器件的长期可靠性可能 受到回流焊接过程的影响）。
JESD22-A114F
发布：2008 年 12 月
静电放电敏感性试验（ESD）人体一个通过将微电路暴露在定义的人体模型的 静电放电应力下，根据其受损或降级的敏感度，对微电路进行 试验和评级的标准化流程。目标是提供可靠的，可重复性的 HBM ESD 试验结果，以使准确的等级评定能够进行。
A115A
发布：1997 年 10 月。
本试验方法有效，然而却不是业界常用 标准，推荐的工业试验方法.
为 JESD22A114 或 JESD22C101
静电放电敏感性试验（ESD）机器模型（MM）： 本试验方法建立了一个通过将微电路暴露在定义的人体模型的 静电放电应力下，根据其受损或降级的敏感度，对微电路进行 试验和评级的标准化流程。 目标是提供可靠的， 可重复性的 MM ESD 试验结果，以使准确的等级评定能够进行。
JESD22- JESD22-A117A
发布：2006 年 3 月
电可擦除可编程只读存储器（ EEPROM）编程/擦除耐久性以
及数据保持试验： 本方法建立了一个标准化的流程，以确定非易失存储单元的数 据循环耐久性和数M):
模型（HBM）： 本试验方法建立了 eseSMDs shouldbe
多次回流焊接操作。这些 SMDs
16. A114 JESD22-A114F
静电放电敏感性试验（ESD）人体模型Published:Dec-2008
ELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYTESTINGHUMANBODYMODEL(HB
Thistestmethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefinedelectrosctiveistoprovidereliable,repeatable
HBMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.
17. A115 JESD22-A115A
静电放电敏感（ESD）机器模Published:Oct1997。
Thisisavalidtestmethod,howeveritisnotcurrentlybeingu
SD22A114orJESD22C101
（HBM）
taticHumanBodyModel(HBM)discharge(ESD).Theobje性试验
sedintheindustry,thepreferredindustrytestmethodsareJEELECTROSTATICDISCHARGE(ESD)SENSITIVITYThismethodestablishesastandardprocedurefortestingandclassifyingmicrocircuitsaccordingtotheirsusceptibilitytodamageordegradationbyexposuretoadefinedMachineModel(MM)electrostaticdischarge(ESD).Theobjectiveistoprovidereliable,r
epeatableMMESDtestresultssothataccurateclassificationscanbeperformed.
18. A117电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）编JESD22-A117A
Published:Mar-2006
ELECTRICALLYERASABLEPROGRAMMABLEROM(EEPROM)PROGRAM/ERASEENDURANCEANDDATARETENTIONTEST:
Thismethodestablishesastandardprocedurefordeterminingthedatacyclingenduranceanddataretentioncapabilityo型（MM）
TESTINGMACHINEMODEL(MM): 程/擦除耐久性以 及数据保持试验
tendedasaqualificationandmonitortestpr
stisalsoapplicabletoFLASHEEPROMintegratedcircuitsand
ErasableProgrammableLogicDevices(EPLD)withembeddedEEPROMorFLASHmemory.
据保持能力。本试验方法可用于鉴定和监控 试验流程。本试验也可用于 FLASH EEPROM 集成电路以及带 有内嵌的 EEPROM 或
FLASH 存储器的可擦除可编程逻辑器件 （EPLD）。
JESD22-A118A
发布：2011 年 3 月
加速水汽抵抗性——无偏压
HAST： 无偏压 HAST 用于评估非气密封装固态器件在潮湿环境下的可 靠性。这是一个高加速试验方法，利用非冷凝条件下的温度和 湿度来加速水汽对外部保护性材料（封装或密封）或沿着外部 保护材料和贯通其的金属导体的界面的穿透作用。不施加偏压 以保证被偏置电压掩盖的失效机理能够被发现（如：贾凡尼式 腐蚀（原电池腐蚀））。本试验用于确定封装内部的失效机理， 为破坏性试验。
19. A118 JESD22-A118A
加速水汽抵抗性——无偏压HAST
Published:Mar-2011
ACCELERATEDMOISTURERESISTANCE-UNBIASEDHAST:
TheUnbiasedHASTisperformedforthepurposeofevaluatingthereliabii
ghlyacceleratedtestwhichemploystemperatureandhumidityundernoncondensingconditionstoacceleratethepenetrationofmoisturethroughtheexternalprotectivematerial(encapsulantorseal)oralongtheinterfacebetweentheexternalprotectiv
notappliedinthistesttoensurethefailuremechanismspotentiallyo
vershadowedbybiascanbeuncovered(iccorrosion).Thistestisusedtoidentifyfailuremechanis
msinternaltothepackageandisdestructive.
20.
A119 低温贮存寿命
JESD22-A119
Published:Nov-2004
LOWTEMPERATURESTORAGELIFE：
Thetestisapplicableforevaluation,screening,monitoring,and/
wTemperaturestoragetestistypicallyusedtodeterminetheeffectoftimeandtemperature,understorageconditions,forthermallyactivatedfailuremechanismso
fsolidstateelectronicdevices,includingnonvolatilememorydevices(dataretentionfailuremechanis
ms).Duringthetestreducedtemperatures(testconditions)areusedwithou
stmaybedestructive,dependingonTime,TemperatureandP ackaging(ifany).
21. A120用于集成电路的有机材料的JESD22-A120A
Published:Jan-2008
TESTMETHODFORTHEMEASUREMENTOFMOISTUREDIFFUSIVITYANDWATERSOLUBILITYINORGANICMATERIALSUSEDININTEGRATEDCIRCJESD22-A119
发布：2004 年 11 月
低温贮存寿命： 本试验可用于所有固态器件的评估，筛选，监控以及鉴定。低 温贮存试验通常用于确定在贮存条件下，时间和温度对固态电 子器件，包括非易失储存器件（数据滞留失效机理），由热激 发的失效机理的效应。在试验中，只施加降低的温度应力（试 验条件），而不施加电应力。本试验取决于时间，温度和包装 （如果有），可能为破坏性。
JESD22-A120A
发布：2008 年 1 月
用于集成电路的有机材料的水汽扩散率以及水溶解度试验方 法：
本规范细化了测试用于 IC 封装水汽扩散率以及水溶解度试验方法
UITS:
Thisspecificationdetailstheproceduresforthemeasurementofcharacteristicbulkmaterialpropertiesofmoisturediffusivityandwawomaterialpropertiesareimportantparametersfortheeffect
ivereliabilityperformanceofplasticpackagedICsafterexposuretomoistureandsubjectedtohightemperaturesolderreflow.
部件的有机材料的两项特性， 即
块状材料的水汽扩散率和水溶解度。 由于塑封 IC 可能暴露于水
汽环境，并经历高温焊接回流过程，因此，这两项材料特性是 保障后其有效的可靠性能的重要参数。
22. A121 JESD22-A121A
锡及锡合金表面镀层晶须生长的测试方法
Published:Jul-2008
MEASURINGWHISKERGROWTHONTINANDTINALLOYSURFACEFINISHES ：
ThepredondustrymovestowardPb-freecomponentsand
assemblyprocesses,thepredominantterminalfinishmaterialswillbepureSnandalloyso fSn,andSn-basedalloyelectrodeposit sandsolder-dippedfinishesmaygrowtinwhiskers,whichcouldelectricallyshortacro
sscomponentterminalsorbreakoffthecomponentanddegradetheperformanceofelectricalormechanicalparts.
23. A122 JESD22-A122
功率循环
Published:Aug-2007
POWERCYCLING
ThisTestMethodestablishesauecificationcoverspowerinducedtemperaturecyclingofapack
agedcomponent,simulatingthenon-uniformtemperaturedistributionresultingfromad
evicepoweringonandoffintheapplication.
24. B100 JESD22-B100B
物理尺寸
Published:Jun-2003ReaffirmedJune2006
PHYSICALDIMENSION:
Thestandardprovidesamethodfordeterminingwhethertheexternalphysicaldimensionvisionincludesachangeindetailstobespecifiedbytheprocure
mentdocument.
25. B101 JESD22-B101A
外部目检
Published:Oct-2004
EXTERNALVISUAL:
Thepurposeofthisinspectionistoverifythatthematerials,dJESD22-A121A
发布：2008 年 7 月
锡及锡合金表面镀层晶须生长的测试方法： 电子元器件主要的引脚镀层曾主要使用锡铅合金。随着业界向 无铅元器件和组装工艺转变，主要的引脚镀层材料变为纯锡以 及锡合金，包括锡铋以及锡银合金。电镀和浸焊的纯锡及锡基
合金镀层可能生长锡须，锡须会引起元器件引脚间电气短路， 或从元器件脱落，引起电气或机械部件的性能退化。
JESD22-A122
发布：2007 年 8 月
功率循环： 本试验方法建立了一种统一的方法，以对元器件封装进行功率 循环应力试验。本规范覆盖了封装元器件功率相关的温度循环 变化，模拟在应用条件下由于上电和下电导致的温度分布不均 一性。
JESD22-B100B
发布：2003 年 6 月，2006 年 6
月重新确认
物理尺寸： 本标准提供了一个确定器件的外部物理尺寸是否和采购文件相 符合的方法。本修订版包括了一处由采购文件规定的细节的修改。
JESD22-B101A
发布：2004 年 10 月
外部目检： 本检查的目的是验证器件的材料，设计，构造，标志以esign,construction,markings,andworkmanshipofthedeviceareina
alvisualisanondestructivetestandapplicableforallpackaget
tisusefulforqualification,processmonitor,orlotacceptance.
26. B102 JESD22-B102E
可焊性
Published:Oct-2007
SOLDERABILITY:
Thistestmethodprovidesoptionalconditionsforpreconditioningandsoldering
fortidesproceduresfordip&looksolderabilitytestingofthroughhol
e,axialandsurfacemountdevicesandasurfacemountprocesssimulationt
poseofthistestmethodistoprovideameansofdeterminingth
esolderabilityofdevicepackageterminationsthatareintendedtobejoinedtoanothersurfaceusinglead(Pb)containingorPb-freesolderfortheattachment.
27. B103 JESD22-B103B
振动，变频
Published:Jun-2002ReaffirmedJune2006
VIBRATION,VARIABLEFREQUENCY:
TheVibration,VariableFrequencyTestMethodisintendedtodeterminetheabilityofc
omponent(s)towithstandmoderatetoseverevibrationasaresultofmotionprodu
adestructivetestthatisintendedforcomponentqualification.
28. B104 JESD22-B104C
机械冲击
Published:Nov-2004-Typofoundonpg.1intitle,
anewversiondatedDecember
ownloadedbetween11/10/04&12/10/04,pleasedownloadagain
MECHANICALSHOCK:
Thistestisintendedtodeterminethesuitabilityofcomponentpartsforuseinelectronicequipmentthatmaybesubjectedtomoderatelysevereshocksasaresultofsuddenlyappliedforcesorabruptchangesinmotionproducedbyroughhandling,transportation,fthistypemaydisturboper
及工艺 是否与采购文件相符合。外部目检是一种非破坏性测试，可对 所有封装类型应用。本测试方法可用于鉴定，过程监控或批接
收检验。
JESD22-B102E
发布：2007 年 10 月
可焊性： 本试验方法以评价器件封装引脚的可焊性为目的，提供了一个 可选的预处理及焊接的条件。本标准为通孔安装器件，轴向及 表贴器件提供了浸焊并观察的可焊性试验程序，并给出了表贴
封装的表贴工艺模拟试验。本试验方法的目的是为准备使用含 铅（Pb）或无铅焊料连接到另一个表面的器件封装引脚提供一 种确定可焊性的方法。
JESD22-B103B
发布：2002 年 1 月，2006 年 6
月再次确认 振动，变频： 变频振动试验方法意在确定部件耐受由电气设备运输或现场工 作引起的从适度到严酷的振动应力的能力。这是一个破坏性试 验，用于部件的鉴定。
JESD22-B104C
发布：2004 年 11 月 - 在第一页发现排版错误，2004 年 12 月
发布了一个新版本。如果你在
11/10/04 和 12/10/04 之间下载，
请再下载一次
机械冲击： 本试验意在确定用于电子设备的部件和元器件对可能的适度严 酷冲击应力的适应性，这种冲击应力可能来自于粗暴处理，运 输或现场工作引发的突然at
施加的力或突发的运动改变。这种ingcharacteristics,adestructivetestint
rmallyapplicabletocavity-typepackages.
29. B105 JESD22-B105C
引出端完整性
Published:May-2003ReaffirmedJune2006
LEADINTEGRITY:
Thistestmethodprovidesvarioustestsfordeterminingtheintegritylead/packageinterfaceandtheleaditselfwhenthelead(s)arebentduetofa
meticpackagesitisrecommendthatthistestbefollowedbyherm
eticitytestsinaccordancewithTestMethodA109todetermineifthereareanyadverseeffectsfromthestressesapplie
ests,includingeachofitstestconditions,isconsidereddestru
stisapplicabletoallthrough-holedevicesandsurface-mountde vicesrequiringleadformingbytheuser.
30. B106 JESD22-B106D
通孔安装期间的耐焊接冲击
Published:Apr-2008
RESISTANCETOSOLDERSHOCKFORTHROUGH-HOLEMOUNTEDDEVICES:
Thismethodestablishedastandardprocedurefordeterminingwhetherthrough-holesolidstatedevicescanwithstandtheeffectsofthetemperaturet
vision
updates thereferencestocurrentlymilitarystandards.
31. B107 JESD22-B107C
标识耐久性
Published:Sep-2004
MARKINGPERMANENCY:
Thistestmethodprovidestwotestsn-destructivetapetestmethodisintroducedtoquicklydeter
tmethodalsospecifiesaresistancetosolventsmethodbasedup
onMILStd883Method2015.
32. B108 JESD22-B108A
表贴半导体器Published:Jan-2003
COPLANARITYTESTFORSURFACE-类 型的冲击可能妨碍工作特性，尤其当冲击脉冲为重复性时。本
试验时一种破坏性试验，用于器件鉴定。通常可应用于空腔类 型的封装形式。
JESD22-B105C
发布：2003 年 5 月,2006 年 6
月再次确认
引出端完整性： 本试验方法提供了多种试验，以确定在由于不当的板级组装， 伴随部件返修的重组装时，引脚/封装界面以及引脚本身的完整 性。对于气密封装，推荐在本试验后进行密封试验，可根据试 验方法 A109 进行，以确定施加在密封处以及引脚上的应力是 否产生了任何不利的影响。这些试验，包括每个试验条件，均 视为破坏性，只推荐用于鉴定试验。本试验适用于需要由用户 进行整脚的通孔安装和表贴器件。
JESD22-B106D
发布：2008 年 4 月
通孔安装期间的耐焊接冲击： 本试验方法建立了一个标准化的流程，以确定通孔安装固态器 件是否能耐受它们在引脚焊接过程中可能经受的温度。本修订 版更新owhichthey
了对现有军用标准的参考。
JESD22-B107C
发布：2004 年 9 月
标识耐久性： 本试验方法提供了两个试验，以确定墨水打标的集成电路的标 识的耐久性。介绍了一个新的非破坏性的胶带试验方法以快速 确定标识的完整性。本试验方法也规定了一种基于 MIL-STD-883 方法 2015 的耐溶剂性试验。
JESD22-B108A
发布：2003 年 1 月
表贴半导体器件的共面性试验： 件的共面性试验
MOUNTSEMICONDUCTORDEVICES:
Thepurposeofthistestistomeasurethedeviationoftheterminals(leadsorsolderballs)fromcoplanarityforsurface-mountsemiconducto rdevices.
本试验的目的是测量表贴半导体器件引出端（引脚或焊球）的 共面性偏差。
JESD22-B109
发布：2002 年 6 月
倒装芯片拉脱试验： 倒装芯片拉脱试验方法用于确定断裂模式以及倒装芯片和基板 间焊球互连的强度。
33. B109 JESD22-B109
倒装芯片拉脱试验
Published:Jun-2002
FLIPCHIPTENSILEPULL:
TheFlipChipTensilePullTestMethodisperformedtodeterminethefracturemodeandstrengthoft
istestmethodisadestructivetest.
34. B110 JESD22-B110A
组件机械冲击
Published:Nov-2004
SUBASSEMBLYMECHANICALSHOCK:
ThenewtestmethodJESD22-B110providesguidanceforin-situtestingofmechanicalshockre
erms,procedures,andtestlevelsincommonwithJESD22-B104
B,thistestmethodprovidesarangeoftestleveloptionstoimprovetestapplic
oceduresaredetailed,includingtestcardandfixtureneeds,te
sttolerances,testdocumentation,componentpreparation,anddefinitionofterms .
35. B111 JESD22-B111
手持电子产品板级跌落试验
Published:Jul-2003
BOARDLEVELDROPTESTMETHODOFCOMPONEThisBoardLevelDropTestMethodisintendedtoeva
luateandcomparedropperformanceofsurfacemountelectroniccomponentsforhandheldelectronicproductapplicationsinanacceleratedtestenvironment,
purposeistostandardizethetestboardandtestmethodologytoprovideareproducibleassessment
ofthedroptestperformanceofsurfacemountedcomponentswhileduplicatingthefailuremodesnormallyobservedduringproductleveltest.
36. B112 JESD22-B112
高温封Published:May-2005
JESD22-B110A
发布：2004 年 11 月
组件机械冲击： 这个心的试验方法 JESD22-B110 提供了部件机械冲击抵抗力 原位试验的指引，原位指的是试验时部件的安装条件与子组件 中一致。本试验方法采用的条款，流程以及试验水平与
JESD22-B104B 通用，提供了可供选择的试验水平的范围，以 增进试验的应用性以及与脆弱性试验的兼容性。本标准细化了 试验流程，包括试验卡以及夹具的需求，试验的容差，试验文 件，部件预处理以及条款的定义。
JESD22-B111
发布：2003 年 7 月
手持电子产品组件的板级跌落试验方法： 本板级跌落试验方法意在以一个加速试验环境评估和比较手持 电子产品应用的表贴电子部件的抗跌落性能，在这个加速试验 环境中，过度的弯曲电路板引起产品失效。这一试验的目的是
标准化试验板和试验方法，以提供一个表贴部件跌落试验性能 的高再现性的评定方法，暴露通常在产品级试验中失效模式
JESD22-B112
发布：2005 年 5 月
组件的
NTSFORHANDHELDELECTRONICPRODUCTS: 装翘 曲度测试方法
HIGHTEMPERATUREPACKAGEWARPAGEMEASUREMENTMETHODOLOGY
Thepurposeofthistestmethodistomeasurethedeviationfromuniformflatnessofanintegratedcircuitpackagebodyfortherangeofenvironmentalconditionsexperiencedduringthesurface-mountsolderingoperation.
高温封装翘曲度测试方法： 本试验方面的目的是测量在经历了表面组装焊接过程中的环境 条件范围后，集成电路封装体平坦度的偏差。
JESD22-B113
发布：2006 年 3 月
手持电子产品组件互连可靠性特性的板级循环弯曲试验方法： 板级循环弯曲试验方法旨在评估和比较手持电子产品中应用的 表贴电子元器件，在一个加速的试验环境下的性能。标准化本 试验方法的目的在于为表贴元器件提供一个可再现的性能评价 方法，以复现通常在产品级试验中才能观察到的失效模式。本 方法不是一个元器件鉴定试验方法，并且不能取代任何用以鉴 定特定产品或组件的产品级试验。
37. B113 JESD22-B113
手持电子产品组件互连可靠性特性的板级循环弯曲试验方法
Published:Mar-2006
BOARDLEVELCYCLICBENDTESTMETHODFORINTERCONNECTRELIABILITYCHARACTERIZATIONOFCOMPONENTSFORHANDHELDELECTRONICPRODUCTS
TheBoardLevelCyclicBendTestMethodisintendedtoevaluateandcomparetheperformanceofsurfacemountelectroniccomponentsinanacceposeistostandardizethetestmethodologytoprovideareprod
ucibleperformanceassessmentofsurfacemountedcomponentswhilednotacomponentqualificationtestandisnotmeanttoreplaceany
productleveltestthatmaybeneededtoqualifyaspecificproductandassembly.
38. B115 JESD22-B115
焊球拉脱试验
Published:May-2007
Thisdocumentdescribesatestmethodonly;
estmeballsarepulledindividuallyusingmechanic
aljaws;peciali
zedsolderballpullmethodsusingaheatedthermode,gangpullingofmultiplesolderjoints,etc.,areoutsidethescopeofthis
wandhighspeedtestingarecoveredbythisdocument.
39. B116引线键合的剪切试验
JESD22-B116
Published:Jul-1998
WIREBONDSHEARTEST:
ThistestmethodestablishesastandardprocedurefordeterminingthestrengthofanintegratedcircuitwirebondbyshearingthewirefromthesurfaceitisbondedtoandmeasuringthefJESD22-B115
SOLDERBALLPULL
发布：2007 年 5 月
焊球拉脱试验： 本文档仅仅描述了一个试验方法，并没有规定接收判据以及鉴 定要求。本试验方法用于焊球拉脱力试验先于最终用户组装。 使用机械夹持方式一个个的拉脱焊球，收集并分析拉脱力以及 失效模式。焊球拉脱试验还有其他试验方法，例如使用一个加
热体，将多个焊球一起拉脱等，这些特定的试验方法不包括在 本文档的范围内。本文档覆盖了低速以及高速试验方法。
JESD22-B116
发布：1998 年 7 月
引线键合的剪切试验： 本试验方法建立了一个标准化的流程，通过将键合引线从键合 表面剪切走，并测量所需力的大小的方法，确定thodservesasanalternativetopullingthewireverticallyuntil
thewireseparatesfromoneofit'providesguidelinesfordetermininganappropriateminimumshea
rforceforgoldballsonaluminumalloybondingsurfaces.
40. B117焊球剪切
JESD22-B117A
Published:Oct-2006
SOLDERBALLSHEAR:
Thepurposeofthistestisconductedtoassesstheabilityofsolderballstowithstandmechanicalshearforcesthatmaybeappliedduringdevicemanufacturing,handling,test,ballshearisad
estructivetest.
41. B114 JESD22B114
标识可识别性
Published:Mar-2008
MARKLEGIBILITY
Thisstandarddescificationappliesonlytomarking
notdefinewhatdevicesmustbemarkedorthemethodinwhicht
,ink,laser,ndardislimitedinscopetothelegibilityreq
uirementsofsolidstatedevices,anddoesnotreplacerelatedreferencedocumentslistedinthisstandard.
42. C100高温连续性已废止
43. C101微电子器件静电放电耐量试场诱导带电器件模型
JESD22-C100-A
Published:Apr-1990Rescinded
HIGHTEMPERATURECONTINUITY-RESCINDED,November1999
JESD22-C101D
Published:Oct-2008
FIELD-INDUCEDCHARGED-DEVICEMODELTESTMETHODFOREL
ECTROSTATICDISCHARGEWITHSTANDTHRESHThisnewtestmethoddescribesauniformmethodforestablishing
Thec
charged-harimulatescharging/dischargingeventsthatoccurin
集成电路引线 键合的强度。本试验作为引线垂直拉脱试验（垂直提拉键合引 线，直到两个键合表面中的一个脱离）的替代方法。对于铝金 属化上金丝球焊的合金键合表面，本文档还提供了确定一个适
当的最小剪切力的指导意见。
JESD22-B117A
发布：2006 年 10 月
焊球剪切试验： 本试验的目的是评估焊球耐受器件制造、处理、试验、运输以 及终端使用条件中可能存在的机械剪切力的能力。焊球剪切试 验是一个破坏性的试验。
JESD22-B114
发布：2008 年 3 月
标识可识别性： 本标准描述了评估固态器件标识可识别性的一个非破坏性试验 方法。本规范只可打标方式 如何。本标准没有定义什么样的器件必须打标，或以什么方式 打标，比如丝印、激光等。本标准的范围限于固态器件标识的 可识别性，并不能替代本标准中列出的相关参考文件。
JESD22-C100A
发布：1990 年 4 月，已废止 高温连续性-1999 年 11 月废止
JESD22-C101D
发布：2008 年 10 月
微电子器件静电放电耐量试验方法，场诱导带电器件模型： 本试验方法描述了建立静电放电耐量的带电器件模型的一个统 一的试验方法。带电器件模型（CDM）模拟了发生在生产设备 和工艺过程中的充电/放电事件。在生产过程中，如果发生金属金属接触，CDM
静电放电（ESD）事件均有潜在发solidstatedevicesthatcontainmarkings ,regardless ofthe
应用于含有标识的固态器件，无论验方法，
OLDSOFMICROELECTRONICCOMPONENTS: ialforCDMESanyexamplesisadeviceslidingdownashippingtubehittingam
rgestodevicesonunterminatedcircuitassembliesarealsowel
assemblyyiel
dsbutcanalsoproducedevicedamagethatgoesundetectedbyfactorytestandlateristhecauseofalatentfailure.
eventsnotonlyreduce生的可能。 其中一个例子是器件从运输包装管中滑出， 碰到一个金属表面。 CDM 试验也可很好的对未接地的电路组件中的器件的放电进 行建模。CDM ESD 时间不仅降低组装合格率，而且可能引起 器件的潜在损伤，这种潜在损伤无法通过工厂测试，但会在以
后引起失效。
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