2023年12月20日发(作者：)
第一章双极型半导体器件
1.所有单晶半导体都是本征半导体。（×）
2.纯净的单晶半导体都是本征半导体。（√）
3.所有能导电的物质称为半导体。（×）
4.导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。（√）
5.价电子为相邻原子所共有，这种结构称为共价键。（√）
6.任何情况下本证半导体都不导电。（×）
7.在绝对零度且无光照时，价电子不能摆脱共价键的束缚，这时的本征半导体不导电。（√）
8.在室温或光照下，少数价电子能够获得足够的能量摆脱共价键的束缚成为自由电子。（√）
9.在室温或光照下，多数价电子能够获得足够的能量摆脱共价键的束缚成为自由电子。（×）
10.本征激发产生的自由电子比空穴多。（×）
11.本征激发产生的空穴比自由电子多。（×）
12.本征激发成对的产生自由电子和空穴。（√）
13.自由电子和空穴在运动中相遇时会重新结合而成对消失。（√）
14.温度一定时，自由电子和空穴的产生与复合将达到动态平衡。（√）
15.在常温下，本征半导体的载流子浓度很高，因此导电能力很强。（×）
16.在常温下，本征半导体的载流子浓度很低，因此导电能力很弱。（√）
17.N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。（√）
18.N型半导体中自由电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（×）
19.P型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。（×）
20.P型半导体中自由电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（√）
21.温度愈高，载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。（√）
22.掺入杂质后形成了P型或N型半导体，但整个半导体晶体仍然呈电中性，对外不显电性。（√）
23.掺入杂质后形成了P型或N型半导体，整个半导体晶体对外显电性。（×）
24.浓度差会引起载流子从高浓度的区域向低浓度的区域运动，这种运动称为扩散运动。（√）
25.浓度差会引起载流子从高浓度的区域向低浓度的区域运动，这种运动称为飘逸运动。（×）
26.载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。（√）
27.载流子在电场作用下的定向运动称为扩散运动。（×）
28.漂移运动使空间电荷区变薄，扩散运动使空间电荷区变宽。（√）
29.漂移运动使空间电荷区变宽，扩散运动使空间电荷区变薄。（×）
结两端P区接高电位，N区接低电位，称PN结正向偏置。（√）
结两端N区接高电位，P区接低电位，称PN结正向偏置。（×）
结两端P区接高电位，N区接低电位，称PN结反向偏置。（×）
结两端N区接高电位，P区接低电位，称PN结反向偏置。（√）
结的单向导电性是指：PN正向导通，反向阻断。（√）
35.外加反向电压超过反向击穿电压U(BR)时，二极管失去单向导电性。（√）
36.稳压管工作在反向击穿区。（√）
第二章放大电路基础
37.三极管由两块相同类型半导体中间夹一块异型半导体构成。（√）
38.三极管的发射区掺杂浓度很高，以便有足够的载流子供“发射”。（√）
39.发射结处于反向偏置、集电结处于正向偏置，晶体管工作于放大状态。（×）
40.发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。（√）
41.发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。（×）
42.发射结处于反向偏置，集电结处于正向偏置，晶体管工作于截止状态。（×）
43.发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。（√）
44.发射结和集电结均为正向偏置，晶体管工作于饱和状态，失去放大能力。（√）
45.发射结和集电结均为正向偏置，晶体管工作于饱和状态，仍然具有放大能力。（×）
46.输入电阻Ri越大，放大器获取输入电压的能力越强。（√）
47.输入电阻Ri越小，放大器获取输入电压的能力越强。（×）
48.输入电阻Ri越大，放大器获取输入电压的能力越弱。（×）
49.输出电阻Ro越小，放大器带负载能力越强。（√）
50.输出电阻Ro越大，放大器带负载能力越强。（×）
51.输出电阻Ro越小，放大器带负载能力越弱。（×）
52.共集放大器的输入电阻大，输出电阻小，因而获取电压信号的能力强，带负载的能力也强。（√）
53.共集放大器的输入电阻大，输出电阻小，因而获取电压信号的能力强，带负载的能力也弱。（×）
54.共集放大器的输入电阻小，输出电阻小，因而获取电压信号的能力强，带负载的能力也弱。（×）
55.共集放大器的输入电阻小，输出电阻小，因而获取电压信号的能力弱，带负载的能力也弱。（×）
56.共集放大器的输入电阻大，输出电阻大，因而获取电压信号的能力强，带负载的能力也强。（×）
57.多级放大电路中，放大器的前级与后级之间通过电容相连的连接方式称为阻容耦合。（√）
58.多级放大电路中，放大器的前级与后级之间通过电阻相连的连接方式称为阻容耦合。（×）
第五章 集成运算放大电路
59.集成运算放大器的同相端接地，反相端接输入ui时，输出uo与输入ui反相。（√）
60.集成运算放大器的同相端接地，反相端接输入ui时，输出uo与输入ui同相。（×）
61.集成运算放大器的反相端接地，同相端接输入ui时，输出uo与输入ui同相。（√）
62.集成运算放大器的反相端接地，同相端接输入ui时，输出uo与输入ui反相。（×）
63.开环电压放大倍数Auo是运放没有接反馈电路时的差模电压放大倍数。（√）
64.开环电压放大倍数Auo是运放接有反馈电路时的差模电压放大倍数。（×）
65.理想集成运算放大器的开环电压放大倍数为无穷大，即Auo。（√）
66.理想集成运算放大器的开环电压放大倍数为无穷小，即Auo0。（×）
67.理想集成运算放大器的差模输入电阻为无穷大，即rid。（√）
68.理想集成运算放大器的差模输入电阻为无穷小，即rid0。（×）
69.理想集成运算放大器的开环输出电阻为0，即r00。（√）
70.理想集成运算放大器的开环输出电阻为无穷大，即r0。（×）
71.判断电路有无反馈，可以根据输入端与输出端是否存在反馈网络来判断。（√）
72.若反馈信号在输入端与输入信号相加，使净输入信号ud增加，称为正反馈。（√）
73.若反馈信号在输入端与输入信号相加，使净输入信号ud增加，称为负反馈。（×）
74.若反馈信号在输入端与输入信号相加，使净输入信号ud减小，称为负反馈。（√）
75.若反馈信号在输入端与输入信号相加，使净输入信号ud增加，称为负反馈。（×）
76.同相比例运算电路的闭环电压放大倍数必定大于或等于1。（√）
77.同相比例运算电路的闭环电压放大倍数必定小于1。（×）
78.集成运算放大器工作在非线性区时，同时存在“虚短”和“虚断”现象。（×）
79.集成运算放大器工作在非线性区时，只存在“虚断”现象，不存在“虚短”现象。（√）
80.集成运算放大器工作在线性区时，同时存在“虚短”和“虚断”现象。（√）
第九章逻辑代数及逻辑门电路
81.在逻辑代数中，最基本的逻辑运算有“与”、“或”、“非”三种。（√）
82.同一个逻辑功能，其逻辑函数的表达式可以有不同的形式。（√）
83.同一个逻辑功能，其逻辑函数的表达式只有一种形式。（×）
84.A、B、C三个变量，其最小项有6个。（×）
85.每个最小项中，因子个数等于逻辑函数变量的个数。（√）
86.在最小项中，逻辑变量以原变量或反变量的形式多次出现。（×）
87.对于任意一个最小项，有多组变量的取值使它为1。（×）
88.任意不同的两个最小项的乘积恒为1。（×）
89.n个变量全体最小项之和恒为1。（√）
第十章组合逻辑电路
90.在组合逻辑电路中，任意时刻的输出信号不仅取决于该时刻的输入信号，与信号作用前电路原来的状态也有关。（×）
91.组合逻辑电路中含有记忆单元。（×）
92.用二进制代码表示具有某种特定含义信号的过程称为编码。（√）
93.优先编码器不允许几个信号同时加到输入端。（×）
第十一章触发器及时序逻辑电路
94.边沿触发器不存在“空翻”和“一次翻转”问题。（√）
95.D触发器具有保持、置零、置1和翻转功能。（×）
96.寄存器的记忆单元是门电路。（×）
97.3个触发器可以存储8位二进制数。（×）
98.一个4位二进制加法计数器能累计的最大脉冲数是15。（√）
99.一个4位二进制加法计数器能累计的最大脉冲数是16。（×）
100.当计数器的无效状态形成无效循环时，计数器不能自启动。（√）
发布评论