AMD超频攻略

2024年1月20日发(作者：)

AMD超频攻略

最近热门的配置依旧是成熟的AM2平台，整体价格也符合现在多数玩家的预算。超频是这些玩家都很关心的问题，今天站长我就给大家介绍下AM2的超频原理，并且介绍及对比评价下几家热门的AM2主板的BIOS。有的品牌的说明书对主板的介绍很简单，目标是为大家扫除超频路上的障碍，让大家都享受到超频带来的免费性能提升，以及DIY的些许乐趣！

首先说说AM2平台的超频原理，我们买到的主流AM2处理器都是不能调高倍频的，并且只有速龙系列可以调低倍频。我们下面的讲解都按照主流的速龙双核为样本，选择倍频最低的3600+ X2处理器，更高倍频的产品可以调低倍频来超外频。既然是超频，那目的就很明确，以提高主频为目标，越高越好，当然我们不打算加电压，也要保证稳定，不得不承认加电压会加速CPU的电子偏移速度，虽然我个人不反对加一些电压，不过对于多数朋友刚刚开始超频没必要太着急加电压，超频失败往往是设置错误而非到达处理器极限，我们后面介绍BIOS的时候依旧会介绍电压设置，因为不但可以不加电压，我们还可以降低电压。这样的超频方法相信没人说会降低寿命了吧。

AM2处理器和其他处理器一样，主频 = 外频 X 倍频 倍频既然不能提高那要提高主频就必要要提高外频，从而达到提高主频的目的，这点相信大家都能够理解。这就是超频最基本的方法和思路拉，当然超频外频会带来很多副作用需要我们调节BIOS来消化，这就是顶级的

FX INTEL X系列处理器的优势所在，可以直接设置倍频，超频者只需要一步步提高倍频就能超频，完全不用当心其他环节会出问题。上面说了超频基本原理，下面就要介绍超外频会有那些其他的副作用，并且通过那些BIOS选项来消化。

1.首先是超频外频带来的HT总线频率提升，这就是超北桥，不过北桥并不如CPU那样好超，默认情况下我们的HT频率是1000MHZ，刚好是CPU外频的5倍（闪龙是4倍也就是800mhz），而一般的北桥能承受的频率就在1100-1200MHZ左右，新出的MP560 芯片组的极限比较高在1600MHZ左右，如果北桥的频率达到极限，那么超频就超不上去了，由于是5倍于外频，所以这时候外频仅仅达到220-230MHZ，如果按照3600+ 来计算的话， 9.5X230= 2185MHZ，这就是很多朋友遇到的超频极限，这超频的幅度也太小了，并且还不稳定。既然这样的话是不是就要买新的MP560芯片组才能超呢，事实当然不是这样，我们可以在BIOS里面设置HT是外频的几倍，也就是常常说的HT频比，我们如果设置成4倍，那么CPU就可以超250外频才开始超频北桥，如果是3倍就是300外频，如果是2倍就是500外频，500外频，现在有几颗速龙双核能达到这个频率呢。AMD处理器集成了内存控制器，所以内存和CPU不通过北桥直接交换数据，所以也没有了传统的前端总线的概念了，AMD处理器的HT总线即使下降到200MHZ也几乎不会有性能损失，鉴于这点我们就完全不用担心降低HT频率比反而会有性能损失了。这样通过设置BIOS中的HT频比就解决了第一个超外频的副作用也就是北桥HT频率过

高不稳定。

2.超外频的第二个问题就是超外频带来的内存频率上升，在超外频的同时内存频率也会同比例上升，打个比方3600+搭配DDR2 667的内存，如果将CPU的外频从200超到300，内存的频率就会跑到DDR2 1000，显然多数DDR2 667 内存都不能运行在DDR2 1000这样的高频率上，一般的DDR2 667 内存就只能跑到DDR2 750上下，尤其是不增加电压的情况下，超频内存到DDR2 750的情况，CPU外频是多少呢？ 大概225外频，超225频？实在太少了，这就是很多朋友超频都卡在230外频的原因。内存和HT总线都是因素。那么怎么办呢？其实很简单通过BIOS里的内存分频选项，设置外频和内存频率的比值，有的BIOS是直接设置内存频率的形式，例如我们可以将内存设置成DDR2 400， 让主板将内存作为DDR2 400内存对待，这时候再超频外频到300外频内存就是运行在DDR2 600，如果设置成DDR2 533的话，300外频就是 DDR2 800 对于好的内存加一点电压实际DDR2 667 的内存跑到DDR2 800并没有问题，这样就解决了超外频的第二个副作用，超内存频率导致内存先遇到频率极限，从频率比可以看出，超频的朋友买一条DDR2 800内存分频到533超频会比较容易，不过对于使用667的用户其实也没那么困难，分频533 外频超到280也不是不可以。

3.最后我们说说超外频带来的第三个副作用，这个副作用很多有一定超频能力的玩家有时候也会疏忽，就是分频内存的时候主板会将内存判定成低频率运作并读取内存条上的SPD信息，并运行在SPD中为

低频率预备的时许上，也就是说如果买DDR2-800的内存分频到533，内存时许我们又不做设置的话内存就会在超频到300外频的时候运行在DDR2-800 并且以默认DDR2-533的时许工作，有时候这会使内存不稳定，但是在恢复设置的时候稳定，因为200外频 内存不分频的时候跑的是DDR2-800的时序，这点需要注意，同样可以通过BIOS中内存的时许设置选项来设置。这样就解决了超外频带来的第三个副作用。

4.不得不提的是，超频外频还会使PCI频率提升，不过现在主板都专门为PCI安装了晶振以等元件，主板可以锁住PCI频率不受外频影响，所以已经不是什么问题了，但是要是你不幸拥有一块PCI频率没法控制的主板，那么你的超频之旅可能就会铺满荆棘咯

实际超频中只要能解决这些问题就可以超到理想的水准，当然电源主板散热器等部件要有基本的水准，不过前面长篇大论怕是有的朋友看得有些晕我们给出几种常用的频率设置方案给大家参考。

外频：250。倍频默认 内存DDR2 667分频到533.实际运行在667。如果不分频跑DDR2 833有困难。使用DDR2 800的分频到667 实际跑DDR2 833问题不大. HT 设置成4X或者更低。

外频：300 倍频默认或者适当降低（这个要看具体使用什么CPU，4400+X2 的11.5这个高倍频跑300外频就很困难，一般至少降到10或者9.5甚至更低），内存DDR2 667 分频400 实际跑DDR2 600 分频 533 实际跑 800，DDR2 800用户可以分533，实际还是跑800.

HT设置成3X 外频：270 倍频默认或适当下降，内存667 分频533 实

际跑720 不算太困难，内存800，分频667实际跑 900 有困难。这个方案合适667内存用户。 HT 设置成 3X。关于内存时许的设置原则就是保证稳定，否则就要加大时许放大延迟保证稳定，这个需要慢慢调节，刚开始可以人为设置成内存条默认频率的默认时许，这个可以通过CPU-Z查看内存的SPD数据查看。BIOS里面也有查看的可能，具体看不同主板而定。实际超频追求极限就是耐心慢慢实验各个外频、内存频率极限、时许的组合，不过对于我们普通用户我们也不希望电脑运行在极限频率，一个适当的频率才是我们需要的，既稳定有能控制一些发热，所以对极限有兴趣的朋友可以慢慢冲，一般的用户知道一个合适的超频方案就好。

内存时序 8-8-8-24 举例

tCL : CAS Latency Control(tCL)

一般我们在查阅内存的时序参数时，如“8-8-8-24”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个第一个“8”就是第1个参数，即CL参数。

CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS

Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto

Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。

该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。

内存标签

tRCD : RAS to CAS Delay

该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第2个参数，即第2个“8”。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to

CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，

可以提高系统性能。如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

tRP : Row Precharge Timing(tRP)

该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的第3个参数，即第3个“8”。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to

active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。

tRAS : Min RAS Active Timing

该值就是该值就是“8-8-8-24”内存时序参数中的最后一个参数，即“24”。Min RAS Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge

Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在24~30之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS

latency + tRCD + 2个时钟周期。

内存实际频率

AMD平台内存的工作频率与CPU的主频保持一定的比例关系。用CPU-Z会看到CPU/5,CPU/6等。这里的5和6指的是分频系数，是一个正整数，其计算方法是200x倍频÷内存标准时钟频率，得出的值向上取整数，例如4000+，外频是200，当前倍频是10.5，搭配667内存（标准时钟频率333），则分频指=200×10.5÷333＝6.306，取整数为7。然后，内存的实际工作频率＝外频200×倍频10.5÷7＝300。