2024年3月8日发(作者：)
一、IGBT（G23N60UFD）：
Vces（max）： 600V
Vges（max）：±20V
Ic（max）： 12A（100℃）
RG（驱动电路的门极电阻推荐值）：23Ω（实际选用时大于范围值的1~10倍，150Ω）
驱动电流的峰值偏压电源电压，算中可忽略）。
此时+IGP+VGE+VGER+RG，其中+gVGE正偏压电源电压，VGE反RG驱动电路的门极电阻，Rg模块内部的门极电阻（一般为几欧姆，计VQGE为+15V，VGE为—10V，计算可得驱动电流的峰值IGP=167mA
驱动电流的平均值率（1MHz），(720pF)。
+IGIGfc(QgCiesVGE)，其中fc载流子频g从0V到+VGE为止的充电电荷量(50nC)，Cies是IGBT的输入电容 此时计算可得驱动电流的平均值 为驱动IGBT所需要的驱动电力
IG=60mA
可以计算出Pd=822mW
二、IR2132及6N137
IR2132可以用来驱动工作在母线电压不高于600 V的电路中的功率MOS门器件，其可输出的最大正向峰值驱动电流为250 mA，而反向峰值驱动电流为500 mA，高边输出功耗可达1W。它内部设计有过流、过压及欠压保护、封锁和指示网络，使用户可方便地用来保护被驱动的MOS门功率管，加之内部自举技术的巧妙运用使其可以用于高压系统，它还可以对同一桥臂上下两个功率器件的门极驱动信号产生0. 8 µs互锁延时时间。它自身工作和电源电压的范围较宽(3-20 V)，在它的内部还设计有与被驱动的功率器件所通过的电流成线性关系的电流放大器，电路设计还保证了内部的3个通道的高压侧驱动器和低压侧驱动器可单独使用，亦可只用其内部的3个低压侧驱动器，并且输人信号与TTL及CMOS电平兼容。
IR2132的内部结构如下图所示，它的内部集成有1个电流比较器(Current
Comparator), 1个电流放大器(Current Amp) 1个自身工作电源欠电压检测器(Under Voltage
Detector),1个故障处理单元(FaultLogic)及1个清除封锁逻辑单元(Clear Logic)。除上述外，它内部还集成有3个输人信号处理器(Input SignalGenerator) ,2个脉冲处理和电平移位器(Pulse Gener-atorLevel Shifter),3个上桥臂侧功率管驱动信号锁存器(Latch) ,3个上桥臂侧功率管动信号与欠压检测器(Under Voltage Detector)及6个低输出阻抗MOS功率管驱动器(Driver)和1个或门电路.
正常工作时，输人的6路驱动信号经输入信号处理器处理后变为6路输出脉冲，驱动下桥臂功率管的信号Ll~L3经输出驱动器功放后，直接送往被驱动功率器件。而驱动上桥臂功率管的信号H1~H3先经集成于IR2132内部的3个脉冲处理器和电平移位器中的自举电路进行电位变换，变为3路电位悬浮的驱动脉冲，再经对应的3路输出锁存器锁存并经严格的驱动脉冲与否检验之后，送到输出驱动器进行功放后才加到被驱动的功率管。一旦外电流发生过流或直通，即电流检测单元送来的信号高于0.5V时，则IR2132内部的电流比较器迅速翻转，促使故障逻辑单元输出低电平，一则封锁3路输人脉冲信号处理器的输出，使IR2132的输出全为低电平，保护功率管;同时IR213Z的FAULT脚给出故障指示。同样，若发生IR2132的工作电源欠压，则欠压检测器迅速翻转，也会进行类似动作。发生故障后IR2132内的故障逻辑单元的输出将保持故障闭锁状态。直到故障清除后，在信号输人端LINI~LIN3同时被输人高电平，才可以解除故障闭锁状态。IR2132驱动上桥臂功率管的自举电源电压不足时，则该电路的驱动信号检测器迅速动作，封锁该路输出，避免功率器件因驱动信号不足而损坏。当逆变器同一桥臂上2个功率器件的输人信号同时为高电平，则IR2132输出的
2路门极驱动信号全为低电平，从而可靠地避免桥臂直通现象发生。
因为DSP所产生的PWM波形频率比较高（33kHz），用一般的低速光耦会使得驱动电路的开关时间变长，在低速，小负载时会严重影响到电机的低速性能，所以本文选用高速光耦6N137，该光耦最高开关速度为10MHz，有效提高逆变器的快速性。
三、HCPL3120
2A最小峰值电流输出
15KV绝缘耐压
0.5V最大低电位输出（负偏压除外）
5mA供电电流
欠压锁定
500nS最大开关时间
15-30V宽压工作环境，-40-150度工作温
最大额定值如下表：
电气特性如下表：
综合比较，从输出电流、驱动电压、功耗，利用HCPL3120或者6N137+IR2132都能实现对IGBT的驱动。为更好的保护IGBT、设计成本、PCB小型化考虑，选择第二种驱动方式。
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