2024年4月5日发(作者:)

CIC

中国集成电路

ChinalntegratedCircult

封装

规避指定图形位于切割道十字区域的方法

宋辉英

上海,

(上海华力微电子有限公司,201210)

frame)摘要:封装阶段切割时应力引发的裂纹,导致封装厂反向要求代工厂在框架设计时切割道十字的

也会要求

指定区域内不允许存在测试图形;光罩制作和使用过程中由对顶角图形造成的静电击穿效应,

达到框

框架的切割道十字区域规避图形成顶角的状况。本文使用MaskCompose工具进行定制化设置,

大幅度提升工作效率。

架设计时自动规避切割道十字区域的功能

关键词:frame设计;切割道十字区域;MaskCompose

Methodsofavoidingthelocationofspecifiedgraphics

inthecrossareaofscribeline

SONGHui-ying

(ShanghaiHualiMicroelectronicsCorporation,Shanghai201210,China)

Abstract

:Crackscausedbystressduringpackagingstageleadtotherequirementforfoundrynottoallowtestpat-

ternsincertainareaofscribelinewhenframedesign;ESDissuecausedbyoppositevertexangleintheprocessof

maskfabricationandusagealsoreq

paper,MaskComposetoolisusedtocustomizethesettingstoachievethefunctionofautomaticallyavoidingthecross

areaofscribelineinframedesign,andgreatlyimproveworkefficiency.

Keywords

:framedesign;crossareaofscribeline;MaskCompose

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封装

1概述

随着工艺节点的不断攀升,下游工序遇到的某

些状况反向对上游的框架设计提出了一些需求,

架各区域的差异化、定制化已是大势所趋。文中应用

了MaskCompose定义模块中的功能,

结合执行模块

中的指定输入,对切割道十字区域的特殊需求定制

了对应的设置方案,以期达到框架排布时更自动化、

更准确高效的目标

2KOZ需求及解决方案

KOZ:KeepOutZone,由封装厂商提议

,源于怀

疑lowk和ULK材质于切割时易引发芯片(chip)四

角裂缝,具体需求见图1,切割道十字的一定区域内

禁放任何图形结构

,其中

KOZ长度≥150μm。

图1KOZ需求示例

为了不让KOZ区域不慎放入图形结构,本文的

构想是事先在KOZ区域摆放一类组件

item),而此

组件本质不包含任何图形

,在所有切割道组件按规

则摆放完毕后,再剔除此组件,即可达到目的。

在MaskCompose定义模块中,增加一个附属于

主芯片的组件文中暂命名为KOZ_EDGE,具体设置

见图2:选择“PREBUILT_ENTERED”,即在执行模

块界面输入其大小,使得此项设置适用性更广;

DeviceType选择CHROME_BOX(笔者已通过定义

模块中的Processlayerinfo对此devicetype进行定

义,使其无任何实质图形),在主芯片四个角横竖共

八处放置此组件;为了避免与外围切割道其他FIX

摆放的切割道组件产生交叠

overlap)导致软件报

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图2KOZ具体设置

错无法正常运行,还须设置允许这些外围切割道组

件与KOZ_EDGE存在交叠,具体哪些组件可视实

际情况而定。

进入执行模块后

,输入

KOZ_EDGE的大小

,其

长应为上文中KOZ的最小值150μm,宽度应为切

割道的1/2,点选IgnoreMissingGDS,确保软件不因

没有链接到实际GDS数据而报错

,详见图

3。

图3KOZ值输入

需要两次BUILDSCRIBES,第一次放入组件

KOZ_EDGE以及其他切割道组件

OverlapChecks

设为N,最终KOZ_EDGE的排布效果见图4。将外

围切割道的组件手动移出KOZ区域,内部切割道组

件若都以FIT_IN_SCRIBE放置,会自动避开KOZ

区域,最后确认OverlapCheck无误后,第一次生成

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图4KOZ排布效果

框架数据

。第二次

BUILDSCRIBES时删除组件

KOZ_EDGE,OverlapChecks设为Y,RunECO设为

Y(表示沿用第一次的排布位置),不更改和移动其

他任何组件

,执行

OverlapCheck,生成最终的框架

数据

关于为何要特意多一个步骤来剔除本身并不包

含任何图形的KOZ_EDGE,是为了避免影响例如

dummyblocklayer等辅助层次的生成

,还有考虑到

一些对切割道空置区域有定义的层次。只是多一个

简单的删除操作

,使得切割道的

KOZ区域保持真实

的空置状态,可以规避很多设置更改甚至意料之外

的情况,是较为稳妥的推荐做法。

3静电击穿问题

ESD)及解决方案

由光罩存在对顶角图形引起的静电击穿问题

的典型案例如图5:testkey左下角与右下角恰好放

置在了主芯片顶角位置,而主芯片内客户的图形极

性与testkey一致(大概率事件

),造成横竖

2个切

图5易形成ESD典型图例

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封装

割道形成了对顶角图形,

极易在光罩制作、运输和

使用过程中引发ESD,导致光罩精确性下降、寿命

大幅缩短,从而使晶圆生产周期延长、产生缺陷、影

响良率

本文的解决方案是在切割道十字区针对

Testkey设置限制摆放区

RestrictionArea,使得

Testkey的指定位置不能位于这个区域,以

杜绝

Testkey与主芯片形成对顶角的可能,

如图

6所示

图6Testkey及其限制区

定义模块的设置如图7,在组件Testkey中,

HowPlaced”设置的第一页中点选“KeepPadsOut

ofInt”

“Yes”,表示需要使Testkey中PAD定义区

域在切割道相交位置之外

,文中暂预先命名此

Pad

为“BOUND”(此功能只在选择组件自动摆放模式

为"FIT_IN_SCRIBE"时出现),在设置的第二页中

输入“Intersectpullback”值,此值由光刻工程师经

验总结而得,定义了在切割道相交区域基础上再

外扩的距离,

假设切割道

X/Y宽度兼为80μm,则

设置Intersectpullback值后,实际的限制摆放区是

90μm*90μm,四边各扩的值,杜绝了类似对顶角

图7Testkey限制区设置

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图形的产生,使得testkey的限制摆放区更合理、更

安全。设置完成后的Testkey限制摆放区见图6红

色区域。

在执行模块中,

须对

testkey定义名为“BOUND”

的PAD范围,具体设置见图8:在每条testkey的编辑

窗口第二页选择HotSpotsType“Geom”,输入testkey

边框层次的layernumber以及datatype,取名为

BOUND”,与定义模块中的PadPrefix命名相对应。

图8TestkeyBOUND输入

回到第一页点击DBReolad,此时下方只会出现

两行内容,分别是指定边框层次(图中为183;4)的

左下角与右上角坐标

,如图

9。若以此设置进行

testkey的自动摆放,

则表示整条

Testkey都不能出现

在切割道相交的限制区。当testkey长度比主芯片长

度短的时候,尚有位置摆放

,因切割道相交区域被禁

止,导致切割道空间不能被有效利用,

造成不必要的

浪费。

而当

testkey长度比主芯片长度长的时候

,则

没有任何符合要求的位置可摆放testkey,与此设置

的初衷相悖

图9自动读取的BOUND坐标

解决上文中ESD问题,只要testkey的短边两端

不位于限制摆放区即可达到不形成对顶角的目标

而为此去layout对应的辅助层的可行性和必要性也

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多有存疑,若在图9基础上新增两行的坐标,即图8

中的四行Hotspots设置,定义了testkey左下角以及

右上角各1μm*1μm的区域。

此时,

Testkey在自动

摆放时可横穿过切割道相交的限制摆放区,

只须头

尾两端1μm宽度内避开限制区,

如图

10,可实现切

割道空间利用的最优化。

图10穿过限制区的Testkey

以上在执行模块中对testkey的Hotspots设置

多为手动,易出错

,且对每条

testkey都要进行编辑

当testkey条数较多时这些重复的设置将造成不必

要的时间消耗,实际操作时可编写一个简单的脚本

来批量完成。只须在指定testkey数据的路径、文件

名、顶层结构名的前提下,提

取边框层坐标后进行

hotspots的定义即可,具体可参考图11。

图11批量化定义TestkeyBOUND

4总结与展望

使用MaskCompose定义模块的功能设置,

配合

执行模块的对应输入之后,使得框架cell的自动排

布达到了空前的自动化与高效率

,整个流片过程所

需时间得以精简,其质量也得以提高。

为了迎合更高

工艺技术环境衍生出的更多更复杂的对于切割道组

(下转第78页)

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企业与产品

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利用图1所示的电路,能够更简易地实现可通

过DAC编程以用于精确照明控制应用的多通道

LED驱动器。根据特定需求进行适当调整以避免功

能异常也是十分重要的。

结论

本文所述的电路显示了创建可编程LED驱动

器更简单的方法,该驱动器非常适用于需要紧凑

扩展、易于供电和高线性度电源的精确照明控制应

用。不过,尺寸必须适应应用的要求,以避免由于各

引起的任

种存在的电感(例如线路电感和寄生电感

图2运算放大器中的轨到轨双极晶体管输入级简化版

何故障

导致所谓的交越失真和

下,失调电压可能突然改变,

非线性

相比之下,ADA4500-2具有集成的输入端电荷

泵,无需第二个差分对即可覆盖轨到轨输入范围

而避免了交越失真

ADA4500-2的其他优势还包括

低失调、低偏置电流和低噪声分量

在这类电路中,

必须注意负载

/电流路径中由

如果没

LED连线产生的电感。导线通常为数米长

有提供正确的补偿,可能会导致异常的振荡。此电路

中的补偿通过反馈路径实现,

它将由分流电阻测量

的电流返回到运算放大器的输入

。应根据产生的电

感调整ADA4500-2上现有的电阻和电容电路。

作者简介

ThomasBrand

于2015年10月加入德国慕尼黑的

ADI公司,当时他还在攻读硕士

2016年5月至

2017年1月,他参加了ADI公司的现场应用工程师

培训生项目。

之后在

2017年2月,他开始担任现场

他还

应用工程师职位,主要负责工业大客户

。此外,

专注于研究工业以太网,并为中欧的相关事务提供

支持。他毕业于德国莫斯巴赫的联合教育大学电气

工程专业,之后在德国康斯坦茨应用科学大学获得

国际销售硕士学位

上接第56页

件的放置需求,使用者应该与软件厂商以及同行保

持频繁的沟通与交流,以期不断探索出新的有效快

捷的解决方案。

作者简介

宋辉英,上海华力微电子有限公司,

科长一级

工程

师,获华东理工大学化学工程与工艺专业学士学位。

服务于设计服务部

,参与华力

55纳米嵌入式闪存、

并连续获

55纳米逻辑工艺等各工艺平台研发工作

得2017、2018年软件和集成人员专项奖励

参考文献

[1]MaskComposeAutomatedReticleDesignSynthesis.

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