2024年4月23日发(作者：)

三星的pure nand flash〔就是不带其他模块只是nand flash存储芯片〕的命名规那么如下：

1. Memory (K)

2. NAND Flash : 9

3. Small Classification

(SLC : Single Level Cell, MLC : Multi Level Cell,

SM : Smart Media, S/B : Small Block)

1 : SLC 1 Chip XD Card

2 : SLC 2 Chip XD Card

4 : SLC 4 Chip XD Card

A : SLC + Muxed I/ F Chip

B : Muxed I/ F Chip

D : SLC Dual SM

E : SLC DUAL (S/ B)

F : SLC Normal

G : MLC Normal

H : MLC QDP

J : Non-Muxed OneNand

K : SLC Die Stack

L : MLC DDP

M : MLC DSP

N : SLC DSP

Q : 4CHIP SM

R : SLC 4DIE STACK (S/ B)

S : SLC Single SM

T : SLC SINGLE (S/ B)

U : 2 STACK MSP

V : 4 STACK MSP

W : SLC 4 Die Stack

4~5. Density〔注：实际单位应该是bit，而不是Byte〕

12 : 512M

16 : 16M

28 : 128M

32 : 32M

40 : 4M

56 : 256M

64 : 64M

80 : 8M

1G : 1G

2G : 2G

4G : 4G

8G : 8G

AG : 16G

BG : 32G

CG : 64G

DG : 128G

00 : NONE

6~7. Organization

00: NONE

08: x8

16: x16

8. Vcc

A : 1.65V~3.6V

B : 2.7V (2.5V~2.9V)

C : 5.0V (4.5V~5.5V)

D : 2.65V (2.4V ~ 2.9V)

E : 2.3V~3.6V

R : 1.8V (1.65V~1.95V)

Q : 1.8V (1.7V ~ 1.95V)

T : 2.4V~3.0V

U : 2.7V~3.6V

V : 3.3V (3.0V~3.6V)

W : 2.7V~5.5V, 3.0V~5.5V

0 : NONE

9. Mode

0 : Normal

1 : Dual nCE & Dual R/ nB

4 : Quad nCE & Single R/ nB

5 : Quad nCE & Quad R/ nB

9 : 1st block OTP

A : Mask Option 1

L : Low grade

10. Generation

M : 1st Generation

A : 2nd Generation

B : 3rd Generation

C : 4th Generation

D : 5th Generation

11. "─"

12. Package

A : COB

B : TBGA

C : CHIP BIZ

D : 63-TBGA

E : TSOP1 (Lead-Free, 1217)

F : WSOP (Lead-Free)

G : FBGA

H : TBGA (Lead-Free)

I : ULGA (Lead-Free)

J : FBGA (Lead-Free)

K : TSOP1 (1217)

L : LGA

M : TLGA

N : TLGA2

P : TSOP1 (Lead-Free)

Q : TSOP2 (Lead-Free)