2024年4月24日发(作者：)

NOR和NAND的区别 --1

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

NOR一般只用来存储少量的代码，主要应用在代码存储介质中；

NAND则是高存储密度数据的理想解决方案，适合于数据存储。

器件特点：

NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯

片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存

内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成

本效益，但 是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦

除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

性能比较：

任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数

情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先

要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的

时间为5S，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的

操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表

明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基

于NOR的单元中进行。

这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

● NOR的读速度比NAND稍快一些。

● NAND的写入速度比NOR快很多。

● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

接口差别：

NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取

其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可

能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。

NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，

很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

容量和成本：

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，

NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只

是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，

NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、 Secure Digital、PC Cards和

MMC存储卡市场上所占份额最大。

可靠性和耐用性：

从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

l 寿命(耐用性)

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是

十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺

寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少

一些。

l 位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次

数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的 变化可能不

很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。

如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。