2024年4月24日发(作者：)

掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的想少量参数保存在EEPROM中，其擦除次

数较Flash多，Flash用来做程序和一些掉电保护和不需要修改的数据。

Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于

EEPROM的改进产品，它的最大特点是必须按块（Block）擦除（每个区块的大小不定，

不同厂家的产品有不同的规格），而EEPROM则可以一次只擦除一个字节（Byte），目前

“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外

一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但

是将其用来取代RAM就显的不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做

不到。

FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。FLASH和

EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，

存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然

比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的

MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有

FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存

储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需要修改的数据，所谓的Flash是用来形容

整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称

为Flash memory。EEPROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，现在大家所

讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Debice，一类是Charge

Trapping Debice，这里的分类标准主要是program与crase的机制不同。

一：FLASH和EEPROM的区别

1:相同点是两者都能掉电存储数据

2：不同点是：

A：FALSH写入时间长，EEPROM写入时间短。

B：FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次）

二：单片机的数据存储器不能用FLASH，因为：

1：FLASH有一定的擦除，写入次数，一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值

是10000次。

2：FLASH写入数据需要比较长的时间，大约需要4-6ms，而且写FLASH需要加上

9V的高压，麻烦。

三：至于EEPROM，可以作为数据存储器，但是单片机如atmegal28，一般用RAM

作为数据存储器，因为EEPROM工艺复杂，成本高，适合于存储掉电保护的数据，而这类

数据往往不需要太多，所以一般的单片机都没在内部集成EEPROM，需要的时候可以让单

片机外挂24C01一类的串行EEPROM。

区别：

1、 FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作

2、 FLASH写入时间长，EEPROM写入时间短