2024年6月2日发(作者：)

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abrupt junction：突变结；

Accumulation ：积累

Aging：老化

alignment：校准

Anneal：退火

avalanche breakdown：雪崩击穿

back-gate：背栅

ballistic transport：弹道输运；

body Effect：体效应，衬底偏置效应，衬偏

效应

Bonding：键合

breakdown：击穿

Buried channels：埋沟

cat’s whisker detector：触须式检波器

channel length modulation：沟道长度调制；

chip: 芯片

computer-aided design (CAD)：计算机辅助设

计

CVD (chemical vapor deposition) ：化学气相

淀积

Dangling bond: 悬挂键

dangling silicon bond ：悬挂键；

deep submicrometer：深亚微米；

degradation：退化；

Degrade：退化

dehydration：脱水

Depletion-mode： 耗尽型器件

deposited uniformly：均匀淀积

deposited uniformly：均匀淀积；

development：显影

DIBL (drain-induced barrier lowering)：漏至

势垒降低效应；

die: 裸片

dielectric constant：介电常数

dielectric constant：介电常数；

-

1

Dielectric：电介质

Diffusion：扩散

DMOS (double-diffused MOS) ：双扩散

MOS

dopant：掺杂剂

doping fluctuations：掺杂工艺的波动

Drain：漏（区）

Electrode：电极

Electron affinity ：电子亲和能

electron beam lithographic：电子束光刻

Energy-bands： 能带图

Enhancement-mode：增强型

EOT（equivalent oxide thickness）：等效氧化

层厚度；

epitaxial：外延；

epitaxially grown 外延生长；

etch stencil ：刻蚀模板

etch：刻蚀

Field oxide ：场氧化层

Field oxide：场氧化层

Flat-Band Voltage ：平带电压

Flat-Band Voltage 平带电压

floating body：体区浮置

gate dielectric：栅介质

gate stack：栅叠层

GIDL (gate-induced drain leakage)：栅感应漏

电效应；

gradual-channel approximation：渐近沟道近

似

Hot Carriers Effect：热载流子效应

hot-carrier effects: 热载流子效应；

impact ionization：碰撞电离；

induced electric field：感生电场

Interconnection：互联

interface state：表面态；

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interface states：界面态

intrinsic Fermi level：本征费米能级

inversion layer：反型层

Ion Implantation：离子注入

kinetic energy：动能；

latch-up ： 闩锁；

latch-up：闩锁

lattice vibration：晶格振动；

LDD（lightly doped drain）：轻掺杂漏；

leakage current：泄漏电流

lithographic mask：光刻版；

LOCOS（Local Oxidation of Silicon）：硅的

局部氧化

Mask：掩模

Metallization：金属化

Metallurgical junction：冶金结

momentum：动量；

MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor

Field-Effect Transistor)：场效应晶体管

nano-scale：纳米级；

nonvolatile devices：非挥发性器件

nonvolatile devices：非挥发性器件

oxidation furnace ：氧化炉

Oxidation：氧化

oxide charges：氧化层电荷

Pattern: 样式，图形，集成电路设计中指版

图

phonons：声子；

photolithography：光刻

Photomasks：光学掩模

photoresist strip：剥离光刻胶

Photoresist：光刻胶，光致抗蚀剂

Pinched-off ：夹断

planar technology：平面工艺

plasma etch ：等离子刻蚀

-

2

Plasma：等离子

Polysilicon：多晶硅

Process ：工艺（过程）

punch-through : 穿通

PVD (physical vapor deposition)：金属物理

气相淀积

quantum confinement effect：量子限制效应；

retrograde channel doping profile：

retrograde channel doping profile：具有逆向

（峰值不在表面处的）沟道掺杂分布

salicide：自对准金属硅化物工艺

scaling limit：按比例缩小的极限

self-aligned：自对准

SEM：扫瞄式电子显微镜（scanning electron

microscope）

series resistance：串联电阻

sheet-resistance：薄层电阻，方块电阻

short-channel effects：短沟道效应；

short-channel effects：短沟效应

silicide：金属硅化物

SIMOX (separation by implantation of

oxygen）：注氧隔离

single-crystal ingot：单晶锭

single-crystalline silicon：单晶硅；

SOI ( Silicon On Insulator):绝缘层上的硅

Source：源（区）

space charge region：空间电荷区

Spacer：侧墙

Specification : 规格，规范

Sputtering：溅射

stepper : 专用步进曝光机

Substrate ：衬底

Subthreshold ：亚阈值

subthreshold swing：亚阈摆幅

subthreshold swing：亚阈值摆动；