2024年6月8日发(作者：)

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简单分析Ram和Rom

RAM

（random access memory）随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或

存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢

失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随

机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic

RAM,DRAM)。

a) 动态存储器在指定功能或应用软件之间共享的存储器。如果一个或两个

应用软件占用了所有存储器空间，此时将无法为其他应用软件分配存储

器空间。 例如，日历、短信息和电话簿 （或通讯录） 可能会共享移动

设备中的动态存储器。一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动

态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种，差异在于DRAM

需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，

SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

 双倍数据速率2 存储器 (DDR2)

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 一直以球形网格阵列

(BGA)封装方式供应。他们具有 3 纳秒，甚至 2.5 纳 秒

的低循环次数 (Cycle time) ，因此可达到 800 兆赫

(MHz) 的数据速率。反过来，与最初的双倍数据速率存

储器相比，他们具有较长的等待时间 (Latency) 。不过，

双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 速度明显快于 双倍数

据速率 1 存储器。4/8 和 16 比特 (bit) 总线带宽情

况下，他们的存储容量范围从 256 兆比特 (Mbit) 直至

整整2 千兆比特 (Gbit)。

 双倍数据速率1 存储器 (DDR1)

第一代双倍数据速率存储器采用薄型小尺寸封装 (TSOP)

或球形网格阵列 (BGA)封装。双倍数据速率1 存储器

(DDR1) 提供最高 400 兆赫(MHz)的传输速率，存储容量

从 256 兆比特到 1 千兆比特。双倍数据速率1 存储器

(DDR1) 存储器需 2.5V的电压及4,8,16 或 32比特的

总线带宽。与双倍数据速率 2 存储器 (DDR2) 的最大区

别： 双倍数据速率1 存储器 (DDR1) 存取和等待时间

较短。

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 同步动态存储器 (SDRAM)

同步动态存储器（简称为SDRAMs）以高达 200 MHz的时

钟频率与总线频率同步运行。它们的存储容量从 16 兆

比特到 512 兆比特 (16M – 512M bit)，在 4/8/16/32

比特 (bit) 总线带宽下可用。典型工作电压： 3.3伏。

封装： BGA（球形网格阵列）或TSOP（薄型小尺寸封装）。

 DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较

于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资

料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行

的内存产品。DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15

的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，

除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，

另外新增了更为精进的CWD、Reset、ZQ、SRT、RASR功能。

b) 静态存储器静态存储器依靠双稳态触发器的两个稳定状态保存信息。每

个双稳态电路存储一位二进制代码0或1，一块存储芯片上包含许多个

这样的双稳态电路。双稳态电路是有源器件，需要电源才能工作，只要

电源正常，就能长期稳定的保存信息，所以称为静态存储器。如果断电，

信息将会丢失，属于挥发性存储器，或称易失性。在静态存储器中比较

常见的是：静态随进存储器（SDRAM）。

RAM存储单元—

1．静态存储单元（SRAM）

●存储原理：由触发器存储数据

●单元结构：六管NMOS或OS构成

●优点：速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低；常用作Cache

●缺点：元件数多、集成度低、运行功耗大

●常用的SRAM集成芯片：6116(2K×8位)，6264(8K×8位)，62256(32K×8

位)，2114(1K×4位)

2．动态存储单元（DRAM）

●存贮原理：利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理，需刷新（早期：三

管基本单元；现在：单管基本单元）

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●刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给

栅极电容补充电荷的操作

●刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持

信息的时间（小于2ms）。

●优点： 集成度远高于SRAM、功耗低，价格也低

●缺点：因需刷新而使外围电路复杂；刷新也使存取速度较SRAM慢，所以

在计算机中，DRAM常用于作主存储器。

尽管如此，由于DRAM

[1]

存储单元的结构简单，所用元件少，集

成度高，功耗低，所以目前已成为大容量RAM的主流产品。

1 易失性

当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写

入

一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM

在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会。

2 需要刷新（再生）

现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表

1(二进制)，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，

若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容

器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的

电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。

3 对静电敏感

正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏

感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏

电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。

ROM

是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据

的固态半导体存储器。其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用

在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，资料并且不会因为电源关闭而消失。

ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，

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而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定，断

电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于

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存储各种固定程序和数据。

总结

简单地说，在计算机中，RAM 、ROM都是数据存储器。RAM 是随机存取存

储器，

它的特点是易挥发性，即掉电失忆。ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特

点与RAM 相反。ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型。举个例子来说也就是，

如果突然停电或者没有保存就关闭了文件，那么ROM可以随机保存之前没有储存的文件但是

RAM会使之前没有保存的文件消失。

如有侵权请联系告知删除，感谢你们的配合！

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