2024年6月9日发(作者:)

上海贝岭市场与技术支持部

BL8023F双向磁保持继电器驱动电路

BL8023F是双向继电器驱动集成电路,用于控制磁保持继电器的工作,采用CMOS工艺生产,内置

续流二极管,具有输出电流大,静态功耗小的特点,已广泛应用于智能电表、智能电力电容器等电力行

业产品,也可用于其他脉冲、电平转换等电路。BL8023F有SOP8和SOT23-6两种封装。

说明

R1、R2

C1

R3

R5、R6

1.

100欧~1K欧

1uF

1欧 ~ 4.7欧

4.7K~10K

封装

表贴 0603

表贴 0603

表贴 0805

表贴 0805

功率

1/10W

>1/8W

>1/8W

耐压

50V

备注

普通品

普通品

普通品

普通品

2.

3.

R1、R2为输入串联电阻,可对芯片起到一定的保护的作用,在上电时序异常(比如A、B控

制电压先于Vcc出现)时,该两个电阻可以减小A、B控制电压通过芯片内部ESD二极管倒

灌到Vcc的电流,过大的倒灌电流很容易使BL8023F进入栓锁状态,此时芯片内部Vcc与

GND之间会有异常低阻通路,造成较大电流流过芯片,电路无法正常工作甚至烧毁。

电源端的限流电阻R3在供电电压小于24V时可以省略,当供电电压大于24V时需要加上,

并且设计人员需要根据电路中实际电流来计算这个电阻的功率。以150mA的驱动电流为例,

R3取4.7欧时,连续驱动时电阻上功耗为0.1W,不过磁保持继电器通常采用脉冲方式驱

动,以100ms/1S占空比为例,电阻上的平均功耗仅0.01W

BL8023F是功率器件,当供电电压大于24V,芯片的电源退耦电容C1的容值应不小于1uF。

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4. A、B口的高电平阈值电压约在2V,可以兼容3.3V或5V单片机的I/O口输出。

5. A、B控制真值表

A B OA OB Relay Action

1 0 Vcc 0V Turn On

0 1 0V Vcc Turn Off

0 0 High Z High Z Don’t Change

1 1 High Z High Z Don’t Change

磁保持继电器的建议驱动波形如下,驱动时长通常为100mS:

当A、B同为高或低时继电器处于保持状态,无动作。BL8023F内部A、B口均接有约500K

的下拉电阻,通常可以不外接下拉电阻。但某些MCU如51核心的单片机或钜泉SOC其上电

复位完成前或端口未配置成输出时I/O内部有弱上拉,这种情况下MCU复位完成前或程序运

行前I/O口可能产生无效高电平,造成继电器误动作,此时需在A、B口接阻值为4.7K-10K

的下拉电阻,如图中所示的R5、R6。

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