2024年3月21日发(作者:)

使用A11芯片的i-XS其最大特色是将长条型十层主板折半,中间另插入双面板然后再上下焊

成为22层板,如此省下的面积可用以加大L型电池。主板正面头号元件PoP的A12正是笔者

详加探讨的重心,也正是电业从芯片、封装、组装最先进技术之所在。

不到半根头发粗的镀铜盲孔(下)

——拆解 iPhone XR 的多种发现

TPCA资深技术顾问 白蓉生

(接上期)

3.6 SAP(Semi-Additive 

Process)半加成法的真正面貌

日商大运味之素大改行并量产

多年ABF(Ajinomoto Bond Film)的

白色膜材,已成为全球高阶大型载

板SAP增层用无玻纤的膜材,其

关键技术就是所掺加的nm级SiO

2

小球。当增层的ABF膜材打出盲

孔后接下来的除胶渣会咬掉表面小

球,所留下众多球坑则可用以抓牢

起步用的化铜层,进而得以在大排

板上做出10~15μm的牢固细线。

通常ABF的超小盲孔可采UV雷

射绕锯成孔,较大盲孔则可用更快

速的CO

2

烧孔。其化铜也较一般

厚出50%。(图20)

3.7 SAP法与mSAP法两者

细线的不同

SAP半加成法的流程是先对

高价ABF膜材执行孔内与板面两

者总体性除胶渣,如此即可清洁

盲壁盲底又可咬掉表面微球而留

下1μm的球坑,于是后续铺满较

厚的化铜层时就具备了绝佳的抓地

力。有了较厚的化铜层才可用以代

替铜箔进行后续流程;经光阻、电

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图20

铜、去光阻,全面咬蚀(Differential

Etching)后即得到已削角宽度仅

10~20μm的细线(图21中②)。

从画面下端见到传统蚀刻有尖角

的内层板与上端无尖角细线看来,

两者完全不同。图21中①③④是

用3~5μm UTC取代高价SAP的

mSAP工法所量产的载板细线。注意

载板与类载板两者流程也有差异。

3.8 载板用SAP半加成法与

mSAP模拟半加成法两者的对比

SAP半加成法仅指ABF膜材经

全面除胶渣咬掉微球留下微坑后;

再过PTH化钯化铜湿流程的金属

化——光阻及成像——电镀铜成线

及填盲孔——去光阻并全面性蚀剂

而完工。如图22所示,下中图即

为8+2+8的高阶CPU超大型载板,

上下8次增层均为SAP法的杰作,

右三图为其互连盲孔与细线的画

面。所谓mSAP法就是利用常规的

PP与超薄铜皮来代替昂贵SAP法

的化铜层做为起步,以节省掉ABF

的成本并增加全板刚性。左下图即

为mSAP生产载板的切片。

3.9 模拟半加成mSAP法于载

板与类载板两者的比较

各世代iPhone手机,都是采

用SLP(Substrate Like PCB)『类载

板』的工法去量产细线微孔的手机

板,载板mSAP板材的UTC超薄

铜皮厚度为2~3μm,为了降低手

机板的成本,于是SLP的UTC厚

度则已放宽到5μm左右,其所有

流程均与mSAP法不太相同。由

于超薄铜皮UTC太过软弱无法自

由持取,因而必须在特殊接着剂协

助下另与18μm抛弃型载箔共同

组成复箔,当UTC被热压在玻纤

树脂板面后,其接着剂下半部会被

强热所裂

,于是即可连同载箔从

3μm UTC的光面撕离,然后即可

进入PCB流程的钻孔或盲孔。右

图即为mSAP原复箔的UTC精细

画面。(图23)

3.10 干式真空溅钛溅铜之半

导体式金属化做法

图24中①②⑤即为颠覆传统

另采干式金属化(Metallization)制

程以取代容易孔破与脱垫的现行湿

流程,③④为现行PTH湿流程完

工载板的切片画面。由于阿托水平

线PTH或上村垂直PTH都是采高

单价较少铜瘤的碱性离子钯,用以

取代PCB一向惯用较便宜但铜瘤

较多的酸性胶体钯。可恨的是碱性

钯处理后的清洗竟然一律用纯水!

请问纯水如何能洗净百万计盲孔死

角中的残余碱性钯?一旦有残钯则

后续当然会有化铜也必定会脱垫。

事实上载板对于是否脱垫的要求却

②③④

图21

图22

图23

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远逊于苹果手机板。(图24)

3.11 载板PTH碱性离子钯清

洗不足的化铜脱垫

所有载板业的PTH都采用高

单价自认一定好的碱性离子钯,可

恨的是大排板数百万盲孔如何能用

纯水洗净强碱?最好是先用市水强

力预洗以除掉死角残硷,然后再用

纯水把市水洗掉才是正确的做法。

然而载板业不管是垂直线或水平

线都一律采用昂贵的纯水去冲洗残

硷,若真能洗净那才是痴人说梦话

呢!幸亏载板已被封牢在模块内且

焊接次数也不多,是故发生脱垫也

就不多了。然而载板一旦做了可靠

度试验时其脱垫就会多了。由是可

知残硷的清除是多么重要了。(图

25)

四、铜箔的快速进步

4.1 反瘤反转铜箔 Reverse 

Treated Copper Foil (1)

为了因应高速方波与射频弦波

两者快速传输与减少损耗起见,三

种板材进步最快的就是铜箔。图

26中,右上图为传统ED铜箔:其

粗糙

面后续还要长出粗大铜瘤,

当其反踩在树脂表面时才得以抓

牢。如此完工PCB的众多小型焊

垫,在数次重工返工中才不致因强

热而浮离。右中为低

LowProfile

的反瘤新式ED铜箔,PCB加工是

把微瘤光面踩压在树脂表面,成线

后底部皮肤跑高速讯号时才可减轻

Skin Effect的损耗。左图为生箔后

处理的

面再镀铜瘤过程,注意其

阳极是故意斜放,使起镀时因距离

近电阻小以致电流超大而出现粉状

镀铜,走动中距离渐远电流渐小又

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①②

③④⑤

图24

图25

图26

图27

成为良好镀铜,于是好铜包烂铜就

成为铜瘤了,右下两黑白电镜图即

为瘤前瘤后之对比。(图26)

4.2 反瘤反转铜箔的RTV (2)

为了高速方波与射频微波两者

传输能量不致过度损耗起见,无

无瘤两面光滑的全新铜箔,不但在

厚大板(左下图)已使5年以上,

连i-XR手机LCP天线软板所用

者(右下图)也都改用全新铜箔了。

从下图厚大板多次强热内层铜面的

开裂可知,传统用的黑氧化或棕氧

化都不能再用了,替代化皮膜(如

阿托的Bondfilm)则可过关。至于

光滑铜面微瘤的抓地力,当然还

要另靠Silane的大力帮忙才不致浮

离。(图27)

4.3 超薄铜皮UTC微瘤面的

耦联剂 (1)

图28中②③两图为低

Low

profile与小瘤的常规铜箔,①为暗

场取像的单图而②却另为明场的接

图,两者均未见到小瘤面上出现白

色的耦联剂。④为明场在特殊偏光

中所摄取的连接图,已见到UTC

微瘤下缘的白色耦联剂皮膜。④中

的明场图虽看不到Silane迹像,但

UTC红色的微瘤面却清晰可见。

(图28)

4.4 超薄铜皮UTC微瘤面的

耦联剂 (2)

图29中②⑤两图为低

小瘤

传统铜箔在同一试样不同光影中取

像的对比,其左中特殊偏光中并未

见到白色的耦联剂。不过①③二

图传统铜箔的微瘤面在一般性偏光

中也可见到暗色的耦联剂。其余

④⑥⑦等三图,均为具有UTC与

及微瘤面者是载板mSAP的专用

图28

②③

⑤⑥

图29

图30

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铜箔,⑦中明场虽看不到Silane,

但下两明场特殊偏光者却可见到

白色耦联剂的皮膜。⑥为清晰高

倍所见到UTC下缘的白色耦联剂

图。(图29)

4.5 i-XR手机LCP天线板其

FCCL中UTC微瘤面的耦联剂

图30三图均为XR手机LCP

天线软板所用Kuraray双面铜箔的

软材,从中图可见到该FCCL的

总厚度为60μm,两面铜箔厚为

15.36μm,故知UTC与微瘤两者

厚约2μm。左偏光连图中更可见

到微瘤面暗色的Silane薄膜。右图

为暗场所见到的红色UTC与白色

耦联剂的皮膜。从前82期5G文

章6.6节可知,两种不同界面的接

着强度应来自四种机制:①机械扣

锁②静电理论③吸着理论④化学键

理论。至于此等软材中耦联剂的接

着强度,则以化学键居功厥伟。将

来不管是硬板或软板,也不管大板

小板,耦联剂的用场必然越来越广。

(图30)

4.6 XR天线LCD软板其铜箔

微瘤面的耦联剂

图31五图均为XR手机LCP

天线多层软板的切片,其压合条件

为290℃,400PSI,100分钟左右;

经常会把软化的LCP压垮挤薄,

因而苹果就特别采用600℃以上的

料做为支撑及互连。右上四层

LCP天线板焊接零件画面中可见到

LCP中白色的高温

料,右中为该

料的放大图,右下为其暗场图可

清楚见到两铜箔的双面都出现了白

色耦联剂皮膜。左上图为右下图左

端的放大画面,左下深盲孔画面也

可见到紫色的耦联剂。(图31)

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图31

图32

①②

图33

五、载板与类载板两种mSAP

的不同

5.1 mSAP工法的盲孔可靠度

XR手机主板与大型九层式载

板两者均采mSAP工法所量产,图

32最下连图即为大型SIP的9L载

板贴在主板的偏光图。右图是该载

板8个堆栈填铜盲孔代替全通孔且

已完成双面焊接的画面。从中图可

知该等盲孔的口径都不到4mil,更

可从左图放大2000倍强光取像的

画面见到,两盲孔周围已出现红色

的化铜(黑钯要从偏光透视才可见

到);但近乎白色填铜与底垫铜之

间并未出现红色的化铜或沙铜,多

次强热后也当然不会脱垫。(图32)

5.2 i-XR十层主板的叠构与

SLP细线

图33中④可见到i-XR十

层主板的叠构过程为:首先进行

双面内核板的成孔成线制程,

即L5与L6的超薄板材(见图中

②102.5μm)的大排板工程。 在完

工内核板上下两面采P/p与铜箔的

HDI式逐次压合增层,首次增层

到「增一」后的四层板(即L4到

L7)。并继续增到十层板。注意含

SLP制程。

③⑤即为L2五条细线之一刻意放

大3000倍的清楚画面。(图33)

5.3 类载板与载板的mSAP不同

载板SAP的化铜层较一般PCB

化铜层约厚出50%,一旦清洗不足

已致盲底尚有残钯及化铜时当然会

出纰漏,不过载板出货最多焊5次

下因而较少脱垫。但苹果手机板出

货前至少要焊15次,于是这种SLP

的手机板就比真正载板还更加困难

了。右两图中可清楚见到最下端的

图34

图35

UTC以及阿托水平线所镀的一铜与

咬蚀当然不会有水沟效应(Puddle

后来的二铜。再从中图三个堆栈孔

Effect)。但内层上板面则必定会出现

可见到PCB的化铜较薄故也较少出

不良的水沟效应。所谓二流体就是指

现盲底可怕的红色化铜。(图34)

上板面的走动咬蚀中,同时也将积水

5.4 传统蚀刻经二流体改善的

抽走以降低水沟对细线的负面效果。

效果与SAP细线的比较

右三图即为内层板顶面抽蚀的细线良

传统水平上下蚀刻细线两面

好效果。左二图为高成本的SAP细

效果并不同,下板面是被上喷所

线画面。(图35)

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「增二」以后三增者即为