2024年4月24日发(作者：)

Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM（同步动态随机存储器）等存储器所

说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash

和AG-AND Flash，而升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR

和NAND闪存。大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而

NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

项目

特点

传输效率

写入/擦除操作的时间

擦除器件时块大小

接口

寿命(耐用性)

NOR flash

芯片内执行

高

5s

64～128KB

SRAM接口

十万次

NAND flash

系统RAM中

中

4ms

8～32KB

I/O口来

一百万次

Nor Flash常常用于存储程序，最初MP3芯片不太成熟的时，曾经有使用过Nor Flash，

比如炬力ATJ2075，SunplusSPCA7530等。目前这种Flash已经使用的不多了，只有少数的

读卡MP3和数码相框中还有见到，因为这种支持SD卡的产品中没有内存，芯片内的ROM不

够存储程序，所以需要用到Nor Flash存储程序。

另外AG-AND Flash 是日本Renesas(瑞萨)公司的技术，良品率不是很高，而且有效容量也

比较低。原厂推出的Flash，容量有88%、92%、96%，96%可以用于MP3产品中，而另外两种

只能用于U盘和SD卡产品中。我个人认为其性能比较差，尽量不要使用。现在Renesas已

经退出Flash的生产商行列，而AG-AND技术也转给台湾力晶公司在继续生产。

Nand Flash也有几种，根据技术方式，分为SLC、MCL、MirrorBit等三种。SLC是Single level

cell的缩写，意为每个存储单元中只有1bit数据。而MLC就是Multi-Level-Cell，意为该

技术允许2 bit的数据存储在一个存储单元当中。而MirrorBit则是每个存储单元中只有

4bit数据。

SLC与MLC的参数对比：

项目

电压

生产工艺

页容量/块容量

访问时间(最大)

页编程时间(典型)

可否局部编程

擦写次数

数据写入速率

SLC

3.3V/1.8V

0.12um

2KB/128KB

25us

250us

Yes

100K

8MB/S+

MLC

3.3V

0.16um

512KB/32KB or 2KB/256KB

70us

1.2ms

No

10K

1.5MB/S

可想而知，SLC的技术存储比较稳定，SLC的技术也最为成熟。然而MLC可以在一个单元中

有2bit数据，这样同样大小的晶圆就可以存放更数据。这也是MLC价格比SLC低很多的原

因。通常情况下相同容量的MLC和SLC，MLC的价格比SLC低30％~40%，有些甚至更低。

为了区分SLC和MLC，我向大家介绍3个方法：

1、 看Flash的型号：根据Flash的命名规则，进行区分。

1

2、 格式化，看是否稳定：

目前市场上还流行黑片、白片的说法，这些都是Downgrade Flash的类型，由于Flash

制程和容量的提升，内部的构成越来越复杂。而新的制程推出时，产品良率并不一定理想，

那些不良的Flash有些是容量不足，有些是寿命不能达到要求，有些是测试不能通过，这些

不能达到出厂要求的Flash都被称为Downgrade Flash。Downgrade Flash有些由厂家推向

市场，比如Spectech等就是镁光(Micron)的Downgrade Flash。而另外一部分作为废品淘

汰掉，但是利润驱使，这些废品也会低价被收购流入市场。一些厂家以各种方案的扫描工具

(Soting Board)来检验出来哪些能够使用。这些厂家收购Flash按斤回收，通过少则数十台

Soting Board，所则上千台Soting Board一同扫描，每天有上百K的产能。大部分Downgrade

Flash被做成SD卡，少数用于U盘，极少数厂家用于生产MP3。Downgrade Flash的处理方

式多数是降低容量出售。可是不论怎样处理，都还是存在问题隐患。但由于价格低廉，

Downgrade Flash的市场正在进一步成长。大家购买产品时可要注意了！

Flash Memory存储卡

消费类电子产品必须体积小且携带方便，尽管硬盘是常见的存储设备，但显

然它不适合在小型移动设备和消费电子中应用。在消费电子研发之初，开发商就

开始设计一种新型永久性、体积小且功耗小的存储媒介来满足消费电子产品的特

定需求。 Flash Memory起源于日本，随之巨大的市场前景立即吸引美国的一些

传统芯片生产商纷纷投入到该领域，如：美国的Intel公司和AMD 公司等。美

国的芯片开发商由于过去在CPU设计和生产领域有先进的技术积累，它们研发的

Flash Memory产品很快就占据了相当大的市场份额。

不同的应用领域对Flash Memory有不同的需求。例如：数码相机追求大容

量的存储器，以便保存数量巨大的相片；而手机等通信设备则更渴望高速的数据

读写速度，从而在无线上网和手机游戏中能吸引更多的用户。为了满足不同应用

领域的特定需求，Flash Memory产品和标准目前正在呈多样性发展，产生了多

个与之相关术语，如：SM（Smart Media）卡、CF (Compact Flash)卡，MMC（Multi

Media Card）卡、SD（Secure Digital）卡和记忆棒（Memory Stick）等[1]。

为了描述和对比各类存储卡之间的差异，表1从存储卡的物理尺寸、工作电

压等十多个角度对它们进行了分析和对比。为了描述方便，表1中MP3表示MP3

Player, DC表示Digital Camera, DV表示Digital Video, MP表示Mobile Phone,

MM表示Mobile Memory Devices。

表1 Flash Memory Card的比较

SM

发

布

时

间

CF

1995年

MMC

1994年 1997年

SD

1999年

Memory Stick

1997年

2