2024年2月22日发(作者：)
实验一 单相交流调压电路实验
一．实验目的：
1．加深理解单相交流调压电路的工作原理；
2．加深理解单相交流调压电路带电感性负载对脉冲及移相范围的要求。
二．实验内容：
1．单相调压电路带电阻性负载实验；
2．单相交流调压电路带电阻电感性负载实验。
三．实验过程：
1、电阻性负载实验：按图1-1接好线路（蓝色为电源电压波形，黄色为负载电压波形，红色为负载电流波形）
图1-1
晶闸管脉冲触发角度：
绘制波形：
结论：
2、带电阻电感性负载实验：按图1-2接好线路
图1-2
分别取脉冲触发角大于，等于和小于功率因数角φ三种情况。
当选R1和L时，φ=48o
当选R2和L时，φ=20o
当选R3和L时，φ=18o
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绘制波形：
结论：
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实验二 功率场效应晶体管（MOSFET）特性与驱动电路研究
一．实验目的：
1．熟悉MOSFET主要参数的测量方法；
2．掌握MOSFET对驱动电路的要求；
3．掌握一个实用驱动电路的工作原理与调试方法。
二．实验内容：
1．MOSFET静态特性及主要参数测试：
（1）MOSFET主要参数测量：
VDS恒定
VGS
Id
开启阀值电压VGS（th）=
跨导gm=
绘制转移特性曲线
（2）输出特性测量：
VdS
VGS=3.5V
Id
VdS
VGS=3.8V
Id
VdS
VGS=4V
Id
导通电阻Ron=
绘制输出特征曲线
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（3反向特征曲线测量。
VSD
Id
绘制反向输出特征曲线:
2．驱动电路研究：
(1) 快速光耦输入、输出延时时间测试；
波形记录:
VgS恒定
延迟时间
(2) 驱动电路的输入、输出延时时间的测试;
波形记录:
延迟时间
3．动态特性测试：
（1）电阻负载MOSFET开关特性测试；
波形记录:
开关时间:
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（2）电阻、电感负载MOSFET开关特性测试；
波形记录:
开关时间:
（3）RCD缓冲电路对MOSFET开关特性的影响测试；
波形记录:
开关时间:
（4）栅极反压电路对MOSFET开关特性的影响测试；
波形记录:
开关时间:
（5）不同栅极电阻对MOSFET开关特性的影响测试。
波形记录:
开关时间:
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实验三 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）特性与驱动电路研究
一．实验目的：
1．熟悉IGBT主要参数的测量方法；
2．掌握混合集成驱动电路EXB840的工作原理与调试方法。
二．实验内容：
1．MOSFET静态特性及主要参数测量：
（1） 开启阀值电压Vge（th）测量；
（2） 跨导gm测量；
Vce恒定
VGe
Id
开启阀值电压Vge（th=
跨导gm=
（3） 导通电阻Ron的测量。
2．驱动电路EXB840主要性能测试：
（1） EXB840输入、输出延时时间测试；
波形记录:
延迟时间:
（2） EXB840保护输出部分光耦延时时间测试；
波形记录:
延迟时间:
（3） EXB840过流慢速关断时间测试；
波形记录:
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关断时间:
（4） EXB840关断时的负栅压测试。
波形记录:
3．动态特性测试：
（1） 电阻负载IGBT开关特性测试；
波形记录:
开关时间:
（2） 电阻、电感负载IGBT开关特性测试；
波形记录:
开关时间:
（3） 缓冲电路对IGBT开关特性的影响测试；
波形记录:
开关时间:
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