2024年4月12日发(作者：)

SDRAM、DDR 和 DDRII 三种内存的区分

SDRAM 在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进展数据传输；DDR 内存

则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据， 因

此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR 内存可以在与SDRAM 一样的总线频率下达

到更高的数据传输率。

与 SDRAM 相比：DDR 运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步

骤既独立执行，又保持与CPU 完全同步；DDR 使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定

回路供给一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储把握器可使用这个数据滤波信号来

准确定位数据，每16 次输出一次，并重同步来自不同存储器模块的数据。DDL 本质上不需

要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM 的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数

据，因而其速度是标准SDRAM 的两倍。

从外形体积上DDR 与 SDRAM 相比差异并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。

但 DDR 为 184 针脚，比SDRAM 多出了 16 个针脚，主要包含了的把握、时钟、电源和接

地等信号。DDR 内存承受的是支持 2.5V 电压的SSTL2 标准，而不是 SDRAM 使用的 3.3V

电压的LVTTL 标准。

DDRII 内存起始频率从DDR 内存最高标准频率 400Mhz 开头，现已定义可以生产的频率支

持到 533Mhz 到 667Mhz,标准工作频率工作频率分别是 200/266/333MHz，工作电压为 1.8V。

DDRII 承受全定义的 240 PIN DIMM 接口标准，完全不兼容于DDR 的 184PIN DIMM 接 口

标准。

DDRII 和 DDR 一样，承受了在时钟的上升延和下降延同时进展数据传输的根本方式，但是

最大的区分在于，DDRII 内存可进展 4bit 预读取。两倍于标准DDR 内存的 2BIT 预读取，

这就意味着，DDRII 拥有两倍于DDR 的预读系统命令数据的力气，因此，DDRII 则简洁的

获得两倍于DDR 的完整的数据传输力气。

DDRII 内存技术最大的突破点其实不在于所谓的两倍于DDR 的传输力气，而是，在承受更

低发热量，更低功耗的状况下，反而获得更快的频率提升，突破标准DDR 的 400MHZ 限制

看下另一篇 ^_^

DDRII 与 DDR 的区分

与 DDR 相比，DDRII 最主要的改进是在内存模块速度一样的状况下，可以供给相当于 DDR

内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM 核心来实现的。作为

比照，在每个设备上DDR 内存只能够使用一个DRAM 核心。技术上讲，DDRII 内存上照

旧只有一个DRAM 核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4 个数据而不是两个数

据。

DDRII 与 DDR 的外观区分示意图

与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDRII 内存实现了在每个时钟周期处理多达 4bit 的数据，

比传统DDR 内存可以处理的 2bit 数据高了一倍。DDRII 内存另一个改进之处在于，它承受

FBGA 封装方式替代了传统的TSOP 方式。

然而，尽管DDRII 内存承受的DRAM 核心速度和DDR 的一样，但是我们照旧要使用主板

才能搭配DDRII 内存，由于DDRII 的物理规格和DDR 是不兼容的。首先是接口不一样，

DDRII 的针脚数量为 240 针，而DDR 内存为 184 针；其次，DDRII 内存的 VDIMM 电压为

1.8V，也和DDR 内存的 2.5V 不同。

DDRII 的定义：

DDRII〔Double Data Rate 2〕 SDRAM 是由JEDEC〔电子设备工程联合委员会〕进开放发

的生代内存技术标准，它与上一代DDR 内存技术标准最大的不同就是，虽然同是承受了在

时钟的上升/下降延同时进展数据传输的根本方式，但DDRII 内存却拥有两倍于上一代DDR

内存预读取力气〔即：4bit 数据读预取〕。换句话说，DDRII 内存每个时钟能够以 4 倍外部

总线的速度读/写数据，并且能够以内部把握总线 4 倍的速度运行。

此外，由于DDRII 标准规定全部DDRII 内存均承受FBGA 封装形式，而不同于目前广泛应

用的TSOP/TSOP-II 封装形式，FBGA 封装可以供给了更为良好的电气性能与散热性，为

DDRII 内存的稳定工作与将来频率的进展供给了坚实的根底。回想起 DDR 的进展历程，从

第一代应用到个人电脑的DDR200 经过DDR266、DDR333 到今日的双通道DDR400 技术，

第一代DDR 的进展也走到了技术的极限，已经很难通过常规方法提高内存的工作速度；随

着 Intel 最处理器技术的进展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运

行频率的DDRII 内存将是大势所趋。

我的观点

DRII 不到 DDRII667 表达不了优势,但假设升级的话要留意接口,主板和 CPU 的

支持.

想进一步了解，请看一组DDR 和DDRII 技术比照的数据。

1、延迟问题：

从上表可以看出，在同等核心频率下，DDRII 的实际工作频率是DDR 的两倍。这得益于

DDRII 内存拥有两倍于标准DDR 内存的 4BIT 预读取力气。换句话说，虽然 DDRII 和 DDR

一样，都承受了在时钟的上升延和下降延同时进展数据传输的根本方式，但DDRII 拥有两

倍于DDR 的预读取系统命令数据的力气。也就是说，在同样100MHz 的工作频率下，DDR

的实际频率为 200MHz，而DDRII 则可以到达 400MHz。

这样也就消灭了另一个问题：在同等工作频率的 DDR 和DDRII 内存中，后者的内存延时要慢

于前者。举例来说，DDR 200 和DDRII-400 具有一样的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实

际上，DDRII-400 和 DDR 400 具有一样的带宽，它们都是 3.2GB/s，但是DDR400 的核心工作

频率是 200MHz，而 DDRII-400 的核心工作频率是 100MHz，也就是说 DDRII-400 的延

迟要高于DDR400。

2、封装和发热量：

DDRII 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR 的传输力气，而是在

承受更低发热量、更低功耗的状况下，DDRII 可以获得更快的频率提升，突破标准DDR 的

400MHZ 限制。

DDR 内存通常承受TSOP 芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz 上，当

频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的

难度。这也就是DDR 的核心频率很难突破275MHZ 的缘由。而DDRII 内存均承受FBGA 封装

形式。不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式，FBGA 封装供给了更好的电气性能与散热性，

为DDRII 内存的稳定工作与将来频率的进展供给了良好的保障。

DDRII 内存承受 1.8V 电压，相对于DDR 标准的 2.5V，降低了不少，从而供给了明显的更

小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDRII 承受的技术：

除了以上所说的区格外，DDRII 还引入了三项的技术，它们是OCD、ODT 和Post CAS。

OCD〔Off-Chip Driver〕：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II 通过 OCD 可以提高信号的

完整性。DDR II 通过调整上拉〔pull-up〕/下拉〔pull-down〕的电阻值使两者电压相等。使

用 OCD 通过削减DQ-DQS 的倾斜来提高信号的完整性；通过把握电压来提高信号品质。

ODT：ODT 是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM 的主板上面为了防止数

据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造本钱。实际上，不同的内 存

模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小打算了数据线的信号比和反射率，终 结电

阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是 信号反

射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能格外好的匹配内存模组，还会在确定程度 上影响信

号品质。DDRII 可以依据自已的特点内建适宜的终结电阻，这样可以保证最正确的信号波形。

使用DDRII 不但可以降低主板本钱，还得到了最正确的信号品质，这是DDR 不能比较的。

Post CAS：它是为了提高DDR II 内存的利用效率而设定的。在Post CAS 操作中，CAS 信

号〔读写/命令〕能够被插到 RAS 信号后面的一个时钟周期，CAS 命令可以在附加延迟

〔Additive Laten〕cy后面保持有效。原来的 tRCD 〔RAS 到 CAS 和延迟〕被AL 〔Additive

Latency〕所取代，AL 可以在 0，1，2，3，4 中进展设置。由于CAS 信号放在了RAS 信号

后面一个时钟周期，因此ACT 和 CAS 信号永久也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDRII 承受了诸多的技术，改善了DDR 的诸多缺乏，虽然它目前有本钱高、延迟

慢能诸多缺乏，但信任随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决

真够专业的描述！无论是电气规格，还是性能、特点，条理清楚。