2024年4月16日发(作者：)

标题：DEEP NWELL的作用

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作者：zrbbobo uplayout

“版图中有时用到DNW层即deep n-well ,有隔离保护的作用，但具体是什么效果，原理

是什么呢？”

根据uplayout的理解，这个“深阱”应该应该是非标准CMOS中用到的，用来做npn管的

集电极。如果只有一个nwell，bjt管只能用nwell作基极做出pnp管来，没有办法做npn管。

网上搜到一个问答：

“

问：在n_well cmos中，如何layout npn 和pnp 的BJT?

答：如果有deep nwell 做isolation的话，npn是可以做的。如果没有，就仅仅能做pn

p了，当然要看你用的pocess是不是p-sub 或者是n-sub，现在普通流行的process是p-s

ub process,但有比较老的process是n-sub。如果是p-sub，没有deep n-well,只能做pn

p，不能做npn，p-sub，有deep n-well，pnp and npn 都可以做。如果是n-sub，可以做

npn,能否做pnp，一样需要看是否有isolation well。

”

这是一种理解，对同样这个问题，本站网友zrbbobo根据自己的项目状况有另外一种更详

细的理解：

“我们用的是标准的SMIC0.18的CMOS工艺，我在看差分放大器的版图的时候看到DN

W层，不太了解它的作用。我在网上有人对这个问题的解释是：DNW: Deep N-WELL 就是在

NWELL之下还有一层N-的注入。有点象BJT里面的埋层。目的是用DNW来隔离DNW里面

的PW和p-衬底，使衬底藕合噪声更小。一般在对噪声比较敏感的芯片（比如RF芯片）上会

用到。逻辑芯片一般都不会有的。对于一个对衬底 r!噪声很敏感的电路，那么其周围可能产生

噪声的部分自然都需要隔离起来最好。 PMOS也是一样。NWELL是可以隔离，那么下面再有

一个DNW也没啥不好的。而且，如果PMOS放到DNW外面，设计规则上还有很多麻烦，因

为)DNW是需要用NW环绕的。”

uplayout没有用过SMIC0.18的CMOS工艺，但认为这个说法很有道理。大家对这个问

题还有没有更多的看法呢？欢迎讨论。

Deep Nwell版图画法

2009-06-01 16:29:36| 分类： IC版图类 | 标签： |字号大中小 订阅

在“几种衬底及隔离的介绍”中已经介绍了triple-well(以下简称TW)与deep-nwell (以下简称DNW) 是存

在区别的。本篇则详细介绍 deep-nwell 在版图的具体画法。但无论哪种画法最终形成的deep-nwell是一致

的，剖面图如下图所示：

以下简称nwell为NW，pwell为PW，被nwell/deep-nwell包围的pwell为(isolated Pwell)IPW,substrate为Sub.

一、第一种画法(DNW层画在NW层中)

二、第二种画法(NW层以path的形式包裏DNW层的边缘)

三、不同电位NW

无论是哪种画法，不同电位的NW必须分开。值得注意的是DNW也是N型的，所以不同电位的NW不可

以通过DNW相连。

四、不同电位Sub

不同电位Sub画法可以与不同电位NW画法一样（各自独立），当然因为NW电位相同时，一般会将其合

并以节省面积，所以图中画在一起的NW电位是相同的。上图右为第二种画法，DNW层可以合并在一起，

中间仅以NW相隔即可。

五、MOSCAP

MOSCAP通常可以理解为NMOS制作在NW中，此时NMOS下极板与NW相连，因此电位相同，而且通

常接GND， 所以这样的NW也必须与其他NW单独开。

六、RF MOS管

无论PMOS还是NMOS都会在底部加上DNW以减小Noise造成的影响。

七、其他

还有需要注意的是，有些特殊器件是直接制作在Sub上，对于这些器件是不能，也不可以用DNW将其隔

离开的。