2024年6月8日发(作者：)

ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的区别

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持

数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内

存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，

是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方

使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM（Dynamic RAM

/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任

何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内

存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR

RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。

DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和S

DRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使

得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存。在很多高端的显卡上，

也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染

能力。

内存工作原理：

内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的

计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的

是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额

外设电路进行内存刷新操作。

具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电

容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长，代表1的电容会放

电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因；刷新操作定期对电容进

行检查，若电量大于满电量的1／2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电

量小于1／2，则认为其代表0，并把电容放电，藉此来保持数据的连续性。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM（可擦除可编程R

OM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这

种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦

出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价

格很高，写入时间很长，写入很慢。

举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，

暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通讯记录（通话记录保存在EEPROM中），

因为当时有很重要工作（通话）要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍

的。

PSRAM，假静态随机存储器。

基本原理：

PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口

跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口

跟SRAM的接口是一样的。

PSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯

定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Co

remagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDR

AM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。

PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,3/4,GPS接收器等

消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所

以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8

MB,16MB,32MB,64MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所

以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。

===================================================