2024年8月15日发(作者：)
HHBY THB6128
THB6128
高细分两相混合式步进电机驱动芯片
一、 特性：
● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.55Ω
● 最高耐压36VDC，大电流2.2A（峰值）
● 多种细分可选（1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128）
● 自动半流锁定功能
● 快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式可选
● 内置温度保护及过流保护
二、
管脚图
：
- 1 -
200903
HHBY THB6128
三、 管脚说明：
端子No
17
14，23
20
18
15
11
28
27
26
13
10
9
12
7
6
3
4
25
24
5
21
22
19
16
30
1
2
29
端子符号
DOWN
SGND
OSC1
FDT
VREF
VMB
M1
M2
M3
OUT2B
NFB
OUT1B
PGNDB
OUT2A
NFA
OUT1A
PGNDA
ENABLE
RESET
VMA
CLK
CW/CCW
OSC2
MO
VREG1
VREG2
VM
ST/VCC
端子说明
通电锁定时输出端
信号地
斩波频率设定电容连接端
衰减模式选择电压输入端
电流设定端
B相 电机电源连接端
细分设置端
细分设置端
细分设置端
B相 OUTB输出端
B相 电流检测电阻连接端
B相 OUTB输出端
B相 功率地
A相 OUTA输出端
A相 电流检测电阻连接端
A相 OUTA输出端
A相 功率地
脱机信号控制端
复位信号输入端
A相 电机电源连接端
脉冲信号输入端
正／反转信号输入端
通电锁定检出时间设定电容连接端
位置检出Monitor端
内部稳压器用电容连接端
内部稳压器用电容连接端
电机电源连接端
待机控制端
- 2 -
200903
HHBY THB6128
四、 电器参数：
1、 最高额定值Absolute Maximum Ratings (Ta 25°C)
项目
最高电源电压
最大输出电流
最高逻辑输入电压
VREF最高输入电压
工作环境温度
保存环境温度
符号
VMmax
Iomax
VINmax
VREFmax
Topg
Tstg
额定值
36
2.2
6
3
－20～＋85
－55～＋150
符号
Ｖ
Ａ
Ｖ
Ｖ
℃
℃
2、 正常运行参数范围Operating Range (Ta 30 to 85°C)
参数
逻辑输入电压
电源电压
输出电流
电流设定端
- 3 -
200903
符号
VIN
VM
Io
VREF
最小
4.5
9
0
典型.
5.0
最大
6
36
2
3
单位
V
V
A
V
HHBY THB6128
3、 电器特性Electrical Characteristics (Ta 25°C, VREF 1.5 V, VM 24 V)
项目
待机时消耗电流
消耗电流
TSD温度
Thermal Hysteresis值
逻辑端子输入电流
逻辑输入“H”Level电压
逻辑输入“L”Level电压
FDT端子“H”Level电压
FDT端子“M”Level电压
FDT端子“L”Level电压
斩波频率
OSC1端子充放电电流
斩波振荡电路
电压阈值
VREF端子输入电流
DOWN输出残电压
MO端子残电压
通电锁定切换频率
OSC2端子充放电电流
通电锁定切换振荡电路
电压阈值
REG1输出电压
REG2输出电压
Blanking时间
输出
输出ON阻抗
输出漏电流
二极管正向压降
电流设定基准电压
输出短路保护
Timer Latch时间
Tscp 256 μs
Ronu
Rond
VD
VRF
Io=2.0A、上側ON阻抗
Io=2.0A、下側ON阻抗
ID＝－2.0A
VREF=1.5V、電流比100%
0.3
0.25
1
50
Ω
Ω
μA
V
mV
符号
IMstn
IM
TSD
ΔTSD
IinL1
IinH1
Vinh
Vinl
Vfdth
Vfdtm
Vfdtl
Fch
Iosc1
Vtup1
Iref
VolDO
VolMO
Iosc2
Vtup2
Vreg1
Vreg2
Tbl
条件
ST=”L”
ST＝”H”、OE=”H”、无负载
VIN=0.8V
VIN=5V
Cosc1=100pF
VREF=1.5V
Idown=1mA
Imo=1mA
最小 标准 最大 符号
200
4
40
8
50
180
μA
mA
℃
℃
μA
μA
Ｖ
V
2.0
3.5
1.1
10
1
0.8 Ｖ
3.1 V
0.8 V
KHz
μA
V
V
μA
100
Vtdown1 0.5
-0.5
400 mV
400 mV
Hz
μA
V
V
V
V
uS
Falert Cosc2=1500pF 1.6
TBD
TBD
TBD
5
19
1
Vtdown2
Ioleak VM=36V
300
- 4 -
200903
HHBY THB6128
五、 使用说明
1、细分设定（M1、M2、M3）
M1
L
H
L
H
L
H
L
H
M2
L
L
H
H
L
L
H
H
M3
L
L
L
L
H
H
H
H
细分数
1
1/2
1/4
1/8
1/16
1/32
1/64
1/128
2、衰减模式设定
PDT为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效
果。
VFDT
3.5 1.1V VPDT<0.8V 衰减方式 慢衰减模式 混合式衰减模式 快衰减模式 3、电流设定 VREF电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值 Io（100%）=VREF*（1/5）*（1/Rs） Rs为NFA(B)外接检测电阻 (例)VREF=1.5V、Rs电阻为0.3Ω时，设定电流为： Iout = (1.5V／5) ／ 0.3Ω = 1.0A 4、待机功能（Standby） ST/VCC端子为Low时，IC进入待机模式，所有的逻辑被重置，输出为OFF。ST/VCC端子 为High时解除待机模式。 5、CLK脉冲输入端 输入 芯片工作状态 ST/VCC L H H CLK * 待机状态 输出励磁Step 保持励磁Step 200903 - 5 - HHBY THB6128 6、CW/CCW：电机正反转控制端 CW/CCW为Low时，电机正转 CW/CCW为High时，电机反转 7、RESTER：上电复位端 RESET端子为Low时，输出为初始模式。励磁位置不再与CLK、CW/CCW端子关联，而被固 定在初始位置。初识位置时，MO端子输出L。(Open Drain连接) 8、ENABLE：使能端 ENABLE端子为Low时，输出强制OFF，为高阻状态。但是，由于内部逻辑电路仍在动作， 如果在CLK端子输入信号，励磁位置仍在进行。因此，将ENABLE重新置为High时，根据CLK 输入，遵循进行的励磁位置的level输出。 9、DOWN、MO输出端 输出端子为Open Drain连接。各端子在设定状态下ON，输出Low Level。 端子状态 Low OFF DOWN 通电锁定时 通电时 MO 初始位置 初始以外 10、斩波频率设定功能 斩波频率由OSC1端子端子-GND间连接的电容，依据下面的公式设定。 -6 Fcp = 1 ／ (Cosc1 / 10×10 ) (Hz) （例）Cosc1=100pF时，斩波频率如下。 -12-6 Fcp = 1 / (100×10 / 10×10) = 100(kHz) 11、输出短路保护电路 该IC为防止对电源或对地短路导致IC损坏的情况，内置了短路保护电路，使输出置于 待机模式。检测出输出短路状态时，短路检出电路动作，一度输出OFF。此后，Timer Latch 时间（typ:256uS）之后再度输出ON，如果输出仍然短路的话，将输出固定于待机模式。 由输出短路保护电路动作而使输出固定于待机模式的场合，通过使ST＝“L”可以解除锁 定。 12、通电锁定电流切换用Open Drain端子 输出端子为Open Drain连接，从CLK输入的一个上升沿脉冲开始，在由OSC2-GND间连 接的电容决定的时间以内，下一个CLK的上升沿脉冲没有输出时切换为ON，输出Low Level。 一次ON的Open Drain输出由下一个CLK的上升沿脉冲置为OFF。 保持通电电流切换时间(Tdown)由OSC2端子-GND间连接的电容由如下的公式设定。 9 Tdown = Cosc2 × 0.4 × 10 (s) (例)Cosc2=1500pF时，保持通电电流切换时间如下。 9 Tdown = 1500pF × 0.4 × 10 = 0.6 (s) - 6 - 200903 HHBY THB6128 六、 参考电路图 七、 封装尺寸Package Dimensions - 7 - 200903 HHBY THB6128 北京博远鼎盛电子科技有限公司 邮箱：****************.com QQ：120088312 邮箱：************** QQ：8874072 - 8 - 200903
发布评论