2024年4月29日发(作者：)
三星DDR内存颗粒的编号共分为四段数字或字母，19个部分组成。请看下面的三星内存编号示意图，图中有A、B、C、
D、E和F为四段数字或字母，而19部分则是指包含在A、B、C、D、E和F四段数字或字母组成的编号，主要对内存
规格进行说明。下面，就给大家分别解释。
首先来解释一下四段号码的大概含义。
A部分我想不用解释了吧，标明的是生产企业的名称——SAMSUNG。
B部分说明的是该内存模组的生产日期，以三个阿拉伯数字的形式表现。其中第一个阿拉伯数字表明，生产的年份，后
面两位数字表明是在该年的第XX周生产的。例如，上图中的446就该表示该模组是在04年的第46周生产的。如果三
位数字是532，则表明该内存模组是05年第32周生产的。
C部分说明的是该内存的封装类型，由一个英文字母表示。该部分将分别以T、U、N、V、G、Z几个字母来代表不同的
封装类型。其中T代表是TSOP2封装，U表示TOSP2（Lead-Free）封装，N表示sTSOP2封装，V表示sTOSP2（Lead
-Free）封装，G表示FBGA封装，Z表示FBGA（Lead-Free）封装。
D部分说明是该内存模组的工作温度与功耗，由一个英文字母表示。该部分将以C和L两个字母来表示该内存颗粒的不
同工作温度与功耗。其中C表示该内存模组为大众商用型内存，普通功耗，工作温度在0 °C~70 °C之间；L表示该内
存模组也属于大众商业型，但却是低功耗，工作温度也在0 °C~70 °C之间。这部分标注为L的模组，在笔记本内存中
比较常见。
E部分说明的是该内存模组的频率和各项延迟（即CL-tRCD-tRP），由两个英文字母或数字组成。该部分分别以A0、B
0、A2、B3和CC这五个字母/数字组合来代表不同频率和延迟的DDR内存模组。其中，A0代表该模组的工作做频率为
DDR-200（100MHz），延迟为2-2-2；B0代表DDR 266（133MHz），延迟为2.5-3-3；A2代表DDRDDR 266（133MH
z），延迟为2-3-3；B3代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；CC代表DDR400（200MHz），延迟为3-3-3。
F部分实际上是由8个小部分组成的，分别表示该内存模组的类型、容量、位宽、接口类型、工作电压等等内容。详细
分解请看下一页。
三星内存编号揭秘（二）应该说F部分是三星内存编号中传达内容最多的。由8个小部分构成，下面就来详细分解一下
这8个小部分所代表的内容。
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K
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X
4
XX
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XX
6
X
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X
8
X
为了方便大家更好的理解编号中的含义，大家可以将表中标明的1-8个部分根据图中的内存编号对号入座。
第1部分用“K”表示的是内存，只要是三星内存，这部分永远都是“K”。
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K
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第2部分表示内存的类别，由一个数字或者字母组成。“4”表示的是DRAM；
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K
是DDR3内存。
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第3部分表示的是内存的子类别，由字母“T”或“H”组成。“T”代表的是DDR2内存，“H”代表的是DDR内存,“B”代表的
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K
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第4部分表示的是内存的容量，由两个数字或者字母组成。根据容量的不同，该部分会出现“28”、“51”、“1G、“2G”、“4
G”这5个组合，其中“28”代表128MB，“51”代表512MB，“1G”代表1GB，“2G”代表2GB，“4G”代表4GB。
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X
第5部分表示的是内存颗粒的位宽，由两连个数字组成。根据颗粒位宽不同，该部分会出现“04”、“08”和“16”三个组合。
其中“4”表示是该颗粒只有4bit位宽，“08”表示该颗粒有8bit位宽，“16”则表示有16bit位宽。
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8
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第6部分代表的是逻辑bank数，由一个数字组成。3表示4 bank，4表示8 bank。
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