2024年2月20日发(作者:)
用MATLAB实现IGBT动态仿真
第l6卷第4期
V0I_16No4
湖北工学院
JournalofHubeiPolytechnicUniversity
2001年12月
D℃c200l
[文章编号]1003--4684(2001)O12—0052—04
用MATLAB实现IGBT动态仿真
刘劲楠,廖家平,毛俐呈
(湖北工学院电气工程与计算机科学系,湖北武汉430068)
[摘要]对IGBT模型暂杰部分进行了详细的理论分析考虑到IGBT的工作条件,必须用非准静态分析法
描述IGBT的暂态电流,电压波形.并用MATLAB的横型语言——S+Function在电力系统工具箱中舔加了
IGBT模块,实现动态仿真.
[美键词]IGBT动态仿真;非准静态分析法;S—Function
[中围分类号]TM646[文献标识码]:A
IGBT(图1,图2)的结构和VDMOSFET十分
相似.不同的是IGBT多一个P层发射区,可形成
PN结l,,并由此引出漏极,门极和源极与VD—
MOSFET相似.IGBT含有一个轻掺杂,宽基极,低
增益(L~)的双极性晶体管(BIT),与传统的商
图1IGBT的元胞结构
1IGBT动态模型
增益,低注入BJT不同.在实际工作范围内,这个双
极性晶体管处于低增益,大注人状态,电子和空穴电
流相互耦台.而传统的双极性晶体管模型在暂态分
析时假设满足准静态近似条件,以下详细分析模型
采用非准静态近似条件.
0llb
图2IGBT等效电路图3参考坐标系
半导体常数,V一0.7V.电子和空穴的电流传输
方程:
双极性传输方程的参考直角坐标系见图3.
在正偏的工作条件下,BJT的集电极一基极结
是反偏的,它的耗尽宽度为:
,
一
/2e(yk+V)/qN(1)
准中性基区的宽度为:
W—W6~,.(2)
暂态时,是随时间变化函数,则也是随时间变
化函数.式(2)对时间求导,得到:
dt一一.(3)口^一
设C一AE,./,式中Ⅳ为基区掺杂度,为硅的
一
L+gAD窦,(4)
一
南L—qAD塞.(5)
式中的b—/,D—DDp/D+D.
注意到以上的两个表达式都与总电流J.有关,
且不能解偶.这对于IGBT中的BJT十分关键,因
为在低增益状态下电子和空穴电流的大小相当.不
能简单地令空穴电流为零,求解电子电流.
空穴流连续方程:
一一一一l_.
(6)ata
fHLgx.…
且一Al,,又由于IGBT中的BJT基区中的任意
[收稿日期]200]一0l一12
[作者简介]刘劲楠(1976--).女,湖北武汉人.湖北工学院硕士研究生,研究方向:电力电子器件仿真
第16卷第期刘劲柚等用MATLAB实现IGBT动态仿真
一
点的总电流相等,即兰一0,从式(6)得双极扩散整理得
方程:
(W)一譬(0].(13)
&rz—一3p+警.(7)2在MATLAB中实现
式中工一Df一为双极扩散长度.
1.1双极性晶体管空穴电流
从式(3)看出,准中性基区宽度随增加而
减少.则随增加基区过剩电荷Q从变窄的基区
中流过消失.因此,式(7)必须在移动的边界条件和
初始条件下求解,即非准静态近似条件,可以得到基
区中过剩载流子的分布.式(7)得近似解为_1]:
)一1一)一?
(警一一13W).(8),26…
又由于基区载流子总电荷,对式(8)在0到积分
得:
1
Q一窜AI占p(x)dx一{PoqAW.(9)
将式(8),(9)代人式(5)可以求出相应的空穴电流.
求得在中性基区边缘的集电极空穴电流为:
Ⅳ一L十南等Q+警.
(1O)
式中的第一项为与L耦合的部分,第二项为电荷控
制部分,第三项为非准静态部分,这一项是移动的边
界条件下载流子重新分布引起的.
1.2双极性晶体管电子电流
电子电流从MOSFET部分来考虑.IGBT中
的MOSFET可以用传统的模型来表示.J~由式
(u)给出,极间电容来描述电荷贮存,c,c定
义参见文献[2]中的圉5.
f0<Vt,
~
:
(Vo-Vt)一≤一,(11)
l.
(V一f)/2>一
则从图2的节点b(d)列电流方程,利用电压方程
V一一V得到电子电流为:
I一I()一』~+(C+)?
警一c誓.(12)ld一—一.LlzJ
1.3双极性晶体管基极电荷控制
由于电荷守恒,基区载流子总电荷等于对电子
流连续方程积分
0一qAICr)dx,
MATLAB的特点是易于进行控制系统的仿
真口],而IGBT的模型中含有微分项,考虑把IGBT
的模型用状态方程的形式加入.而观察IGBT的模
型,可以把,Q看作状态变量;,I为系统的
输入;作为系统的输出.
为实现IGBT的动态模型,建立的系统状态方
程模型.设状态变量:x(1)一V;x(2)一V;
X(3)一Q系统的输入:U(1)一L;U(2)I;
系统的状态方程为(15),(16),(17).
从节点(g)列KCL方程:
I一c一c.…)
整理得:!一d+Cgdd.(15)
因为J+I一L,则(1O)式加(12)式得到IGBT总
电流,并代人(15),整理得:
一
(,d一Q+(1+一1
b)?出….
'惫一~))/((1+百1)
cc+毒+字.(16
把I(0),L()的表达式代人式(13),整理得:
d9df—I~+(c+)一
一一
毳,w-t.1ld—一匦一.¨
输出方程:Yk1)一x(1);y(2)一x(2).
以上方程可以用KRF45(龙格库塔一费尔博格
4阶)算法求解.这里采用了simulink中SFunc—
tion(Mathworkcorporation.S—Function
help.1999)对IGBT二次建模.在添加IGBT模型
时把模型看做一个连续系统,只讨论mdllnitial—
izeSizes,md1Derivatives,mdlOutputs三种回调方法
在S—function定义中.在flag一3对应的回调方法
mdlOutputs0中定义计算静态工作点的部分,输出
部分用状态变量Q,V,的函数表示.在flag=1
对应的回调方法mdlDerivatives()中列写的状态方
程,计算微分.在flag一0对应的回调方法mdllni
tlalizeSizes()中定义仿真初始值.而预处理过程在
封装中实现,列写的外电路状态方程由系统给出.
而仿真算法可以用siraulink中提供的仿真算法.
第16卷第4期
5总结
刘妨柚等用MATLAB实现IGBT动态仿真55
与Pspice中的IGBT模型(MicroSimcorpora—
A—DReferenceManual,1996)比较,
从图8中可以看出(20~60)s时MATLAB和
Pspice中门极电流和门极波形几乎重合,阳极电压
波形中仿真波形的峰值电压相差比较大.而Pspice
中模型的有效性在文献E43中已阐述.(O~20)
的不同时由于不同的仿真初值引起的.图6从关断
状态开始仿真,而图7从导通状态开始仿真,这是由
于Pspice中考虑了门极内部的电阻Rg,而本人的
模型中没有考虑,这个电阻值很小,对门极特性的影
响不明显,但对电压波形的影响比较大.
可见该模型仿真的IGBT暂态阳极特性,暂态
门极特性都是十分有价值的.模型可以设定器件的
基极载流子寿命,门极电阻等参数,以便观察峰值电
压,开通关断时间等电路特性的变化
[参考文献]
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—
34.
ImplementIGBTDynamicSimulationbyMATLAB
LIUJin—,
(tricEngineering8~ComputerScience,PolytechnicUniv.,Wuhan430068,China)
Abstract:eringtheconditionofIGBT,weusethe
non—日口quasistaticmethodtodescribethedynamiccuYi'ddIGBTdynamic
blockinpowersystemtoolboxwithS-functionandimplementitsdynamicsimulation.
Keywords:IGBTdynamicsimulation;non-quasi-static;S-functionsimulation
[责任编辑:张岩芳]
(k-接第51页)
[参考文献]
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256.
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ages[A].CVGIP.1986,34(4);98—100.
InvestigationonAlgorismofMatchingbetween
Ship'sCorrosionImages
CHENQi—xiang,ZHOUShang—li,KEMing—yi
(trical8LComputerScience,HubeiPolytechnicUniv.,Wuhan430068,China)
Abstract:Thisthesion
uncontinuousimages.
Keywords:ship'scorrosionmatch;uncontinuoosimages
[责任编辑:张岩芳]
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