2024年6月6日发(作者：)

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN2.0

（22）申请日 2006.03.24

（71）申请人 夏普株式会社

地址 日本大阪府

（10）申请公布号 CN1855650A

（43）申请公布日 2006.11.01

（72）发明人 渡辺昌规

（74）专利代理机构 北京市柳沈律师事务所

代理人 陶凤波

（51）

H01S5/16;

H01S5/20;

H01S5/343;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

窗口结构半导体激光装置及其制造方法

（57）摘要

本发明的AlGaInP类窗口结构半导体激光

装置，其包括依次层叠下覆层、具有量子阱层的

有源层、以及上覆层的光波导路径，并从形成于

所述光波导路经的端部的相对于所述叠层垂直的

光出射端面放射光。在所述光波导路径的包含所

述光出射端面的端部形成具有所述量子阱层不规

则化的有源层的窗口部。所述窗口部中的相对所

述层叠方向的垂直方向的光强度分布，比在所述

光波导路径内侧与所述窗口部相邻的非窗口部中

的所述垂直方向的光强度分布扩展。从所述窗口

部的所述光出射端面到所述非窗口部的长度大于

或等于48μm而小于或等于80μm。

法律状态

法律状态公告日

2006-11-01

2006-12-27

2009-04-15

法律状态信息

公开

实质审查的生效

授权

法律状态

公开

实质审查的生效

授权

权利要求说明书

窗口结构半导体激光装置及其制造方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

窗口结构半导体激光装置及其制造方法的说明书内容是....请下载后查看